FSI国际宣布在硅化物形成步骤中的金属剥离技术取得突破
发布时间:2008/6/5 0:00:00 访问次数:427
fsi 国际有限公司宣布已成功地采用fsi vipr™技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺，ic制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中，大幅度减少化学品的使用和降低对资金的要求。新订购的fsi zeta® spray cleaning system喷雾式清洗系统中已经采用了fsi vipr™技术，并将用于升级最近已经在生产现场安装的系统。
镍铂硅化物最早应用于65nm逻辑器件，因为它的阻抗更低，从而可实现器件性能的大幅改善。但在早期应用中，业界发现在不损害镍铂硅化物区域的情况下，去除未反应的镍和铂是非常有挑战性的。在2005年，fsi凭借其新开发的镍铂剥离工艺解决了这一问题。
随着业界使用镍铂硅化物的经验增加，ic制造商观察到更低的硅化物形成温度可降低结泄漏电流。不过，这一温度更低的工艺在金属去除步骤中带来了其它的复杂性，并使得高良率的集成方案无法实现。新的基于fsi vipr™的工艺没有这一限制，从而使得这样一个低成本、高良率低温退火镍铂硅化物工艺得以实现。
fsi 国际有限公司宣布已成功地采用fsi vipr™技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺，ic制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中，大幅度减少化学品的使用和降低对资金的要求。新订购的fsi zeta® spray cleaning system喷雾式清洗系统中已经采用了fsi vipr™技术，并将用于升级最近已经在生产现场安装的系统。
镍铂硅化物最早应用于65nm逻辑器件，因为它的阻抗更低，从而可实现器件性能的大幅改善。但在早期应用中，业界发现在不损害镍铂硅化物区域的情况下，去除未反应的镍和铂是非常有挑战性的。在2005年，fsi凭借其新开发的镍铂剥离工艺解决了这一问题。
随着业界使用镍铂硅化物的经验增加，ic制造商观察到更低的硅化物形成温度可降低结泄漏电流。不过，这一温度更低的工艺在金属去除步骤中带来了其它的复杂性，并使得高良率的集成方案无法实现。新的基于fsi vipr™的工艺没有这一限制，从而使得这样一个低成本、高良率低温退火镍铂硅化物工艺得以实现。
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