本例介绍一款采用分立元器件制作的热敏、光敏特性演示器，它能直观地演示半导体材料的热敏特性和光敏特性。

电路工作原理
该热敏、光敏特性演示器电路由晶体管v1-v6、二极管vdl-vd5、发光二极管vll-vl6、电阻器ro-r6、电位器rpl、rp2、电池gb和热敏元器件 (热敏电阻器rt或锗材料晶体管vol），光敏元器件 (光敏电阻器rg或光敏晶体管vo2)组成，如图2-30所示。

图2-30热敏、光敏特性演示器电路(二)

用于半导体热敏特性演示时，可在a、b两端接上热敏电阻器rt或晶体管vol(不使用rpl)。此时rt和v01处于高阻状态，vl-v6处于截止状态，vll-vl6均不发光。当用电烙铁等热源对rt或v01加热时，随着rt或vol温度的升高，vll-vl6中点亮的发光二极管的数量也越来越多，表明该半导体材料的电阻随着温度的升高而减小。用于半导体光敏特性演示时，可在a、b两端接上光敏电阻器rg或光敏晶体管vo2(不使用rpl)。在光线较弱时，rg或vo2处于高阻状态，vl-v6均截止，vll-vl6均不发光。当有光线照射到rg或vo2上时，vll-vl6中部分发光二极管被点亮。rg的阻值或vo2的导通内阻随着光线的增强而减小，vll-vl6中发光二极管点亮的个数也随之而增多，这表明该半导体材料的电阻是随着光照强度的增大而减小。调整rpl的阻值，也可模拟演示半导体光敏特性与热敏特性。调整r陀的阻值，可改变led显示电路的灵敏度。

元器件选择
ro选用1/2w金属膜电阻器;rl-r6均选用1/4w金属膜电阻器。
rt选用负温度系数的热敏电阻器。
rg选用mg45系列的光敏电阻器。
rpl和rp2选用小型有机实心电位器或合成膜电位器。
vll-vl6均选用ф5mm的红色发光二极管。
vl-v6均选用s9013或3dg6、3dgl2、c8050等型号的硅npn晶体管;vol选用3agl
或3ax3l型锗pnp晶体管;vo2选用3du系列的光敏晶体管。