ZIPTRONIX对5层CMOS和光电二极管进行封装
发布时间:2007/8/15 0:00:00 访问次数:439
来源：技术在线
美国Ziptronix与RaytheonVisionSystems（RVS）合作，对5层CMOS元件和光电二极管进行了3维层叠。在层叠时，采用了Ziptronix开发的名为“Directbondinterconnect（DBI）”的3维封装技术。
采用DBI技术，在芯片与晶圆、晶圆与晶圆接合时，也可在室温下实现3维封装。布线间距在10μm以下，布线宽度为2μm左右。此次在形成有CMOS元件的晶圆上，层叠了RVS公司的芯片。布线间距为8μm。可在确保接合部连接性的同时，通过所有光电二极管获取图像。
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美国Ziptronix与RaytheonVisionSystems（RVS）合作，对5层CMOS元件和光电二极管进行了3维层叠。在层叠时，采用了Ziptronix开发的名为“Directbondinterconnect（DBI）”的3维封装技术。
采用DBI技术，在芯片与晶圆、晶圆与晶圆接合时，也可在室温下实现3维封装。布线间距在10μm以下，布线宽度为2μm左右。此次在形成有CMOS元件的晶圆上，层叠了RVS公司的芯片。布线间距为8μm。可在确保接合部连接性的同时，通过所有光电二极管获取图像。
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