飞兆半导体公司(fairchildsemiconductor)推出全新stealthii和hyperfastii二极管技术，作为其专为lcdtv开关电源(smps)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s和ffpf08s60sstealthii二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta>1.3)和极短的反向恢复时间(trr<25ns@600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm(连续电流模式)功率因数校正(pfc)设计中改善emi和mosfet开关损耗。同时推出的还有ffpf08h60shyperfastii二极管，具有很快的反向恢复时间(trr<35ns@600v击穿电压)和很低的前向电压降(vf<2.1v)，有助于在dcm(不连续电流模式)pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealthii和hyperfastii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet及superfetmosfet技术系列相结合，并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcdtv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi。

　　stealthii/hyperfastii+unifet的组合优化pfc设计

　　lcdtv的smps一般工作在两类pfc电流模式下：ccm和dcm。为了优化ccm设计，飞兆半导体的新型ffp/pf08s60sstealthii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifetmosfet同用。例如，19a500vfda18n50unifet采用专有的平面条形dmos技术获得很低的导通阻抗rds(on)(0.265ohm@vgs=10v)和很高的承受uis(非钳位感应开关)的能力。unifet器件与新型的stealthii二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%，从而实现出色的系统效率。同样地，飞兆半导体新推出的ffpf08h60shyperfastii二极管也可与相同的unifet器件共同使用，在dcmpfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。

　　superfetfrfet用于高效、可靠的主开关设计

　　现在的lcdtvsmps必须在开关模式工作中降低功耗，并同时保持系统性能和可靠性。飞兆半导体现有的superfet快速恢复mosfet(frfet)产品便经过优化以满足这种设计要求。结合superfet技术和控制少子寿命的工艺，superfetfrfet能够提高体二极管的性能、对关断电压变化dv/dt的抗扰性，以及降低其emi，最新一代fcpf11n60f器件具有trr=120ns&qrr=0.8μc以及高达50v/nsdv/dt的能力。

　　全新stealthii和hyperfastii产品采用采用无铅封装，能达到或甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。目前有现货供应，交货期为收到订单后12周内。