瑞萨科技公司(renesas technology corp.)日前宣布，rqg2003高性能的功率硅锗hbt实现了业界最高水平性能，可用于诸如无线lan终端、数字无绳电话和rf(射频)标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。

作为瑞萨科技目前hsg2002的后续产品，rqg2003是一种用于功率放大器的晶体管，它可以对传输无线lan终端设备等rf前端功率进行放大。

rqg2003的功能总结如下

(1)业界最高的性能水平，有助于实现低功耗产品

在5ghz和2.4ghz频段，rqg2003的性能达到了业界的最高水平，如下所述。

(a)5ghz频段：6.4db的功率增益，26.5dbm条件下的1db增益压缩功率，5.8ghz条件下的功率增加效率为33.6%

(b)2.4ghz频段：13.0db的功率增益，26.5dbm条件下1db的增益压缩功率，2.4ghz条件下的功率增加效率为66.0%

这些性能参数是对瑞萨科技目前的hsg2002的显著改善，例如，5.8ghz条件下的功率增加效率大约提高了10%，2.4ghz的功率增加效率大约提高了20%。

该性能有助于降低ieee802.11a兼容的无线lan设备、数字无绳电话等5ghz频段设备的功耗，也可以降低使用2.4ghz频段的ieee802.11b/g*3 兼容的无线lan设备、rf标签读/写机及其他2.4ghz频段应用的功耗。

2)小而薄的无铅封装

该器件采用小型表面贴装8引脚wqfn0202(瑞萨封装代码)封装，尺寸为2.0mm×2.0mm×0.8毫米。这种小而薄的无铅封装有助于缩小rf前端传输部分的设计空间。

其他产品细节

(1)关于rqg2003

·rqg2003是瑞萨科技第一个采用该公司独特的双沟道结构的产品，其中的沟道隔离和导电沟道是在一个单晶体管区形成的。使晶体管与带有沟道绝缘层的硅衬底隔离，以减少造成高频特性降低的寄生电容(衬底和晶体管之间)。此外，形成的导电沟道可以利用通孔与电极和衬底进行连接，从而减少了由连线压焊引起的电感。

利用这种双沟道结构可以实现2.4ghz和5ghz频段功率增益和功率增加效率的显著改善。

·该器件采用了一种sigec工艺，其中的硅锗基极掺杂了碳，同时实现了晶体管图形的优化。与瑞萨科技目前的hsg2002相比，集电极电流密度有所增加，1db增益压缩功率大约改善了1.5dbm。

(2)完全无铅封装

为了保证芯片压焊的可靠性和电导性，rqg2003采用了一种最理想的导电银浆，同时采用了sn-bi(锡铋)来进行电极电镀，完全实现了无铅化。

瑞萨科技计划进一步扩展rqg系列硅锗功率晶体管的lna(低噪声放大器)rqg1xxx和pa(功率放大器)rqg2xxx阵容，并继续开发rql系列硅锗mmic的lna rql1xxx和pa rql2xxx产品，以满足不断发展的市场对丰富产品的需求。

典型应用

·无线lan终端：2.4ghz/5ghz频段(符合ieee802.11a/b/g标准)

·rf标签读/写机：2.4ghz

·数字无绳电话：2.4ghz/5.8ghz。