模拟信号处理及功率管理解决方案供应商zetexsemiconductors推出三款为有限驱动电压应用设计的n沟道增强模式mosfet。

　　这三款新产品分别为20v的zxmn2b03e6(sot236封装)、zxmn2b14fh和zxmn2b01f(两者均为sot23封装)。这些器件均具有1.8vgs条件下的低损耗开关功能，可以使用两个1.2v电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。

　　三款新mosfet可确保1.8vgs条件下的导通电阻(rds(on))分别低于75毫欧(mω)、100毫欧(mω)和200毫欧(mω)，使之在低压应用中大显身手，例如高端分段开关的电平转换、升压型转换器电路的外置开关，以及低压微控制器和电机、电磁铁等负载的缓冲等。

　　快速开关性能是zetex专有umos技术的另一个主要功能。例如zxmn2b01f在vgs=4.5v和id=1a的情况下，上升和下降时间仅为3.6ns和10.5ns。