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KLA-Tencor近日宣称推出Archer 100光覆盖测量系统

发布时间:2008/6/2 0:00:00 访问次数:1476

  全球覆盖测量(overlay metrology)技术领先厂商kla-tencor近日宣称推出一款45nm工具——archer 100光覆盖测量系统,设计用于显著增强浸没和未来双成型(patterning)蚀刻技术的精确度和生产率。archer平台经过广泛的重新设计,提升精确度超过30%,系统使用率高达20%,在几乎所有其它关键指标上都有主要改进。

  kla-tencor参数化解决方案部副总裁joseph laia指出,“浸没蚀刻大幅度改进了由于误差覆盖而引起的图形良品率,archer 100系统特别解决了客户最关键的覆盖挑战,提供了支持45nm及以下光刻的技术平台。”

  在浸没蚀刻方法中,独特的效果需要新型的分析能力和更多采样,来保证精确调整并检测覆盖误差源。archer 100系统的新型μaim(microaim)通过仿真覆盖敏感的芯片结构,仍使用芯片上同一块小区域,为覆盖工具提供了更多信息。这种技术使得在广泛种类的曝光和工艺条件下稳定性增强。

archer 100有效解决了低对比度测量问题,新照明系统能改进45nm及以下大批量内存制造的测量精度和可靠性。系统产量每小时超过80片晶圆。



  全球覆盖测量(overlay metrology)技术领先厂商kla-tencor近日宣称推出一款45nm工具——archer 100光覆盖测量系统,设计用于显著增强浸没和未来双成型(patterning)蚀刻技术的精确度和生产率。archer平台经过广泛的重新设计,提升精确度超过30%,系统使用率高达20%,在几乎所有其它关键指标上都有主要改进。

  kla-tencor参数化解决方案部副总裁joseph laia指出,“浸没蚀刻大幅度改进了由于误差覆盖而引起的图形良品率,archer 100系统特别解决了客户最关键的覆盖挑战,提供了支持45nm及以下光刻的技术平台。”

  在浸没蚀刻方法中,独特的效果需要新型的分析能力和更多采样,来保证精确调整并检测覆盖误差源。archer 100系统的新型μaim(microaim)通过仿真覆盖敏感的芯片结构,仍使用芯片上同一块小区域,为覆盖工具提供了更多信息。这种技术使得在广泛种类的曝光和工艺条件下稳定性增强。

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