用超快速IGBT可取代100KHz变换器中的MOSFET
发布时间:2007/8/15 0:00:00 访问次数:490
型号：100KHz
关键字：
简介：国际整流器公司（ＩＲ公司）推出的超快速（ＷＡＲＰ—Ｓｐｅｅｄ）ＩＧＢＴ的开关特性与功率ＭＯＳＦＥＴ非常接近，在大功率电源变换器中，ＭＯＳＦＥＴ成本很高，采用ＩＧＢＴ可以大大降低成本，由于ＩＧＢＴ电流密度很高，通常可比ＭＯＳＦＥＴ大２倍或３倍以上，...
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简介：国际整流器公司（ＩＲ公司）推出的超快速（ＷＡＲＰ—Ｓｐｅｅｄ）ＩＧＢＴ的开关特性与功率ＭＯＳＦＥＴ非常接近，在大功率电源变换器中，ＭＯＳＦＥＴ成本很高，采用ＩＧＢＴ可以大大降低成本，由于ＩＧＢＴ电流密度很高，通常可比ＭＯＳＦＥＴ大２倍或３倍以上，...
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