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90纳米设计的信号干扰问题非常严重

发布时间:2007/8/15 0:00:00 访问次数:571

当安捷伦科技公司ASIC产品部第一次从130纳米转向90纳米芯片设计时,他们对遭遇的困难大吃一惊。“信号完整性问题的糟糕程度的确又上了一个台阶。”该公司微处理器设计经理Jay McDougal表示。

McDougal的经历是其他用户的翻版,而且与EDA供应商正在讨论的情况一致。诸如串扰引发的延迟、串扰引发的毛刺和由电压下降导致的电源噪声等问题在90纳米节点都加剧了,从而使设计收敛变得更困难。

一些观察家表示,尽管针对这些问题的现有和新EDA工具很多,但真正的解决方案还在于方法学和教育。设计师需要为信号完整性收敛预留更多的时间,采用信号完整性避免技术,并深入到事实背后进行分析,以更好地理解问题。

McDougal的90纳米设计采用相当传统的流程:Synopsys的逻辑综合与Cadence的物理设计;串扰分析则同时采用了Synopsys的PrimeTime-SI和Cadence的CeltIC。主要困难包括串扰引发的延迟和信号转换问题,他说。

“我们从信号完整性方面观察到10%、甚至20%的时序延迟,”他表示,“至于转换时间,一些路径的延迟达到100%。因此,我们必须根据信号完整性来布线。”

东芝公司在90纳米节点已经有过10多次出带经验。“我们遇到的最大问题是信号完整性导致的设计变化。”该公司系统级芯片(SoC)设计技术经理Takashi Yoshimori表示,“我们需要更精确地分析信号完整性以及由它导致的延迟变化。”目前,东芝采用CeltIC进行串扰分析,采用Cadence的 VoltageStorm SoC执行IR压降分析。

IBM公司高级工程经理Raminderpal Singh表示赞同:“在90纳米节点,信号完整性已经变成一个意义重大且出人意料的问题。”他的部分工作是帮助客户在IBM代工厂实现他们的90纳米设计。

“随着芯片的密度、频率不断增加,电压不断下降,设计师将遭遇更多的麻烦。”他说,“一系列整体效应变得非常真实。”

不过,Singh发现的首要问题不是串扰,而是电源分布噪音。“我不是说没有串扰发生;我只是认为它不像电源分布问题一样占据主导性。”他说,“这可能是因为人们可以远离串扰进行设计,而我听到的是他们不能解决的问题。”

电源反弹及压降效应是其中之一。“电源反弹是电源分布与噪音的函数,如果你对它置之不理,你将看到延迟和时序效应。”他说,“它很可能导致功能失败或故障。”互连提取能发现问题,但在90纳米节点很难执行这种操作。

“对于电源分布和电源噪声,市场可能需要更动态的分析,”Singh补充道,“当时钟开始产生噪声时,它变得更动态,而不像以前那样维持静态。”

纳米级IC的信号完整性问题是2004年电子设计过程大会(EDP-2004)关注的焦点。IBM公司研究员兼大会主席Juan-Antonio Carballo表示:“焦点似乎已转移到串扰,特别是Vdd/地问题上。而且,低电压放大了这些效应。”

EDA供应商的与会代表已经切实感受到客户的痛苦。“一些与工艺有关的问题使信号完整性在90纳米阶段变得更糟,”Cadence公司时序与信号完整性部门的行销总监Jim McCanny表示。在130纳米节点,75%的电容可能来自于相邻走线,而非地。在90纳米,这个数字上升到80%。这听上去变化不大,但还有更多其它问题。

“当从130纳米转向90纳米设计时,阻抗将上升30%到40%。”McCanny表示,“总的噪声问题确实与阻抗和容抗有关。随着阻抗上升,驱动器有效驱动线路的能力将下降,因此RC会发生变化。”

另一个问题是向低电压转移的趋势导致了多电压设计、动态电压调整和不同的“电压岛”。“所有这些因素都将影响噪声和延迟。例如,设计师正在采用低Vt和高Vt单元的组合来对抗漏电流:当性能是优先考虑因素时,切换到低Vt单元;而为了降低漏电流就切换到高Vt单元。”

“人们为了控制漏电流而做出的决策使设计变得更容易受串扰和IR压降的影响,”Cadence时序与信号完整性部门研发总监Vinod Kariat表示,“如果一个高Vt单元正在驱动一个低Vt单元,那么高Vt单元将更难防范串扰,而低Vt单元更有可能传播干扰。”

与Singh不同,McCanny认为在90纳米阶段串扰是头号的信号完整性问题,紧随其后是低电压设计的复杂性。重要的是在布线期间如何避免串扰,而不仅是分析和修复,他说。

Synopsys的客户遇到了串扰引发的延迟以及功能问题,如毛刺和压降等,Synopsys公司实现部高级行销总监Rajiv Maheshwary表示。“你将有更高和更薄的走线,而且它们靠得越来越近,因此耦合电容随之增加。”他说。

此外,Maheshwary说,在90纳米阶段人们正在设计更高效的电源管理方案,而伴随着电流密度的增加,这将导致片上和封装电感急剧增大。“我们需要动态,而非静态地审视压降,”他强调。

Maheshwary指出,在90纳米节点,重要的是在整个实现流程中避免串扰。设计师需要考虑布局期间的噪声,并更关注布线期间的时钟。 Cadence的CeltIC和Synopsys的PrimeTime-SI都是串扰分析工具。这两种工具在

当安捷伦科技公司ASIC产品部第一次从130纳米转向90纳米芯片设计时,他们对遭遇的困难大吃一惊。“信号完整性问题的糟糕程度的确又上了一个台阶。”该公司微处理器设计经理Jay McDougal表示。

McDougal的经历是其他用户的翻版,而且与EDA供应商正在讨论的情况一致。诸如串扰引发的延迟、串扰引发的毛刺和由电压下降导致的电源噪声等问题在90纳米节点都加剧了,从而使设计收敛变得更困难。

一些观察家表示,尽管针对这些问题的现有和新EDA工具很多,但真正的解决方案还在于方法学和教育。设计师需要为信号完整性收敛预留更多的时间,采用信号完整性避免技术,并深入到事实背后进行分析,以更好地理解问题。

McDougal的90纳米设计采用相当传统的流程:Synopsys的逻辑综合与Cadence的物理设计;串扰分析则同时采用了Synopsys的PrimeTime-SI和Cadence的CeltIC。主要困难包括串扰引发的延迟和信号转换问题,他说。

“我们从信号完整性方面观察到10%、甚至20%的时序延迟,”他表示,“至于转换时间,一些路径的延迟达到100%。因此,我们必须根据信号完整性来布线。”

东芝公司在90纳米节点已经有过10多次出带经验。“我们遇到的最大问题是信号完整性导致的设计变化。”该公司系统级芯片(SoC)设计技术经理Takashi Yoshimori表示,“我们需要更精确地分析信号完整性以及由它导致的延迟变化。”目前,东芝采用CeltIC进行串扰分析,采用Cadence的 VoltageStorm SoC执行IR压降分析。

IBM公司高级工程经理Raminderpal Singh表示赞同:“在90纳米节点,信号完整性已经变成一个意义重大且出人意料的问题。”他的部分工作是帮助客户在IBM代工厂实现他们的90纳米设计。

“随着芯片的密度、频率不断增加,电压不断下降,设计师将遭遇更多的麻烦。”他说,“一系列整体效应变得非常真实。”

不过,Singh发现的首要问题不是串扰,而是电源分布噪音。“我不是说没有串扰发生;我只是认为它不像电源分布问题一样占据主导性。”他说,“这可能是因为人们可以远离串扰进行设计,而我听到的是他们不能解决的问题。”

电源反弹及压降效应是其中之一。“电源反弹是电源分布与噪音的函数,如果你对它置之不理,你将看到延迟和时序效应。”他说,“它很可能导致功能失败或故障。”互连提取能发现问题,但在90纳米节点很难执行这种操作。

“对于电源分布和电源噪声,市场可能需要更动态的分析,”Singh补充道,“当时钟开始产生噪声时,它变得更动态,而不像以前那样维持静态。”

纳米级IC的信号完整性问题是2004年电子设计过程大会(EDP-2004)关注的焦点。IBM公司研究员兼大会主席Juan-Antonio Carballo表示:“焦点似乎已转移到串扰,特别是Vdd/地问题上。而且,低电压放大了这些效应。”

EDA供应商的与会代表已经切实感受到客户的痛苦。“一些与工艺有关的问题使信号完整性在90纳米阶段变得更糟,”Cadence公司时序与信号完整性部门的行销总监Jim McCanny表示。在130纳米节点,75%的电容可能来自于相邻走线,而非地。在90纳米,这个数字上升到80%。这听上去变化不大,但还有更多其它问题。

“当从130纳米转向90纳米设计时,阻抗将上升30%到40%。”McCanny表示,“总的噪声问题确实与阻抗和容抗有关。随着阻抗上升,驱动器有效驱动线路的能力将下降,因此RC会发生变化。”

另一个问题是向低电压转移的趋势导致了多电压设计、动态电压调整和不同的“电压岛”。“所有这些因素都将影响噪声和延迟。例如,设计师正在采用低Vt和高Vt单元的组合来对抗漏电流:当性能是优先考虑因素时,切换到低Vt单元;而为了降低漏电流就切换到高Vt单元。”

“人们为了控制漏电流而做出的决策使设计变得更容易受串扰和IR压降的影响,”Cadence时序与信号完整性部门研发总监Vinod Kariat表示,“如果一个高Vt单元正在驱动一个低Vt单元,那么高Vt单元将更难防范串扰,而低Vt单元更有可能传播干扰。”

与Singh不同,McCanny认为在90纳米阶段串扰是头号的信号完整性问题,紧随其后是低电压设计的复杂性。重要的是在布线期间如何避免串扰,而不仅是分析和修复,他说。

Synopsys的客户遇到了串扰引发的延迟以及功能问题,如毛刺和压降等,Synopsys公司实现部高级行销总监Rajiv Maheshwary表示。“你将有更高和更薄的走线,而且它们靠得越来越近,因此耦合电容随之增加。”他说。

此外,Maheshwary说,在90纳米阶段人们正在设计更高效的电源管理方案,而伴随着电流密度的增加,这将导致片上和封装电感急剧增大。“我们需要动态,而非静态地审视压降,”他强调。

Maheshwary指出,在90纳米节点,重要的是在整个实现流程中避免串扰。设计师需要考虑布局期间的噪声,并更关注布线期间的时钟。 Cadence的CeltIC和Synopsys的PrimeTime-SI都是串扰分析工具。这两种工具在

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