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美国推出光功率倍增的蓝色LED芯片

发布时间:2008/5/29 0:00:00 访问次数:408

  美国cree公司推出了通入350毫安电流时,光功率达370毫瓦的高功率蓝色发光二极管芯片“ezbright1000”,光功率为该公司原产品的2倍以上。如果将通入电流提高到1安培,则光功率可增至800毫瓦。适用于一般照明设备、车载设备、液晶面板的背照灯以及使用led作为光源的投影机等需要较高光功率的设备。

  制作白色led时,需要将蓝色led芯片与荧光体材料进行组合。在2006年6月举办的2006年led技术研讨会上,cree表示如果蓝色led芯片的光功率达到360毫瓦左右,则可得到每瓦为100流明的白色led。由此可以推测,使用此芯片即可制成每瓦为100流明的高功率白色led。

  ezbright1000在通入350毫安电流时的正向电压为标准3.3伏。包括光功率最小分别为200毫瓦及300毫瓦的两种型号,各型号又分别备有发光波长在450nm±5nm、460nm±5nm、470nm±5nm范围的产品。芯片的安装尺寸为980μm×980μm。芯片厚度为100μm。芯片的上表面设有负电极,下表面设有正电极。



  美国cree公司推出了通入350毫安电流时,光功率达370毫瓦的高功率蓝色发光二极管芯片“ezbright1000”,光功率为该公司原产品的2倍以上。如果将通入电流提高到1安培,则光功率可增至800毫瓦。适用于一般照明设备、车载设备、液晶面板的背照灯以及使用led作为光源的投影机等需要较高光功率的设备。

  制作白色led时,需要将蓝色led芯片与荧光体材料进行组合。在2006年6月举办的2006年led技术研讨会上,cree表示如果蓝色led芯片的光功率达到360毫瓦左右,则可得到每瓦为100流明的白色led。由此可以推测,使用此芯片即可制成每瓦为100流明的高功率白色led。

  ezbright1000在通入350毫安电流时的正向电压为标准3.3伏。包括光功率最小分别为200毫瓦及300毫瓦的两种型号,各型号又分别备有发光波长在450nm±5nm、460nm±5nm、470nm±5nm范围的产品。芯片的安装尺寸为980μm×980μm。芯片厚度为100μm。芯片的上表面设有负电极,下表面设有正电极。



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