飞兆半导体公司(fairchildsemiconductor)推出全新的fdb2614(200v)和fdb2710(250v)n沟道mosfet，这两款产品经专门设计，可为等离子体显示板(pdp)应用提供业界领先的系统效率和优化的占位空间。利用飞兆半导体专利的powertrench工艺技术，这些mosfet比较市场上同类型器件提供最低的导通阻抗rds(on)(fdb2614的典型值为22.9毫欧；fdb2710的典型值为36.3毫欧)。超低的rds(on)加上极低的栅极电荷(qg)，使得该器件具有同级产品最佳的品质因数(fom)，因而在pdp系统中能获得更低的传导损耗和出色的开关性能。器件极低的导通阻抗配合超小型的芯片尺寸，再加上200v或250v的击穿电压，可以封装在占位面积更小的d2pak封装中。powertrenchmosfet的另一个优势是能够承受高速电压(dv/dt)和电流(di/dt)开关瞬态响应，有助于提高系统的可靠性。

　　飞兆半导体功率产品部副总裁taehoonkim表示：“飞兆半导体的fdb2614和fdb2710mosfet具有领先的fom及采用紧凑的d2pak封装，非常适合于pdp应用中的路径开关。这些器件经过量身度做，可为纤巧的pdp板设计提供高电流处理能力和节省占位空间的封装。飞兆半导体这项产品的推出再次彰显了其决心和能力，为客户解决最紧迫的应用问题。”

　　fdb2614和fdb2710的主要功能和优势包括：最低导通阻抗rds(on)及低栅极电荷，具备同级产品最佳的fom(rds(on)xqg)，能够提高系统效率；d2pak(to-263)封装，与具有类似rds(on)的更大型to-3p封装平面mosfet比较，能够节省板卡空间；高dv/dt和di/dt处理能力，增强系统可靠性。

　　fdb2614和fdb2710均为无铅器件，能达到或甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

　　供货

　　现提供样品，收到订单后12周内交货。