国际整流器公司（international rectifier，简称ir）近日推出新型的directfet mosfet同步降压转换器芯片组。新品适用于下一代采用intel和amd处理器的高端台式电脑和服务器，以及先进的电信和数据通信系统等高频率、大电流的dc-dc转换器应用。

例如，电流为130a的五相转换器如果采用最新的irf6619 和irf6633芯片组，可在一个紧凑的面积上实现85%的效率。

ir中国及香港销售总监严国富指出：“irf6619 和irf6633 芯片组能在处理器电源系统的每相位中取代四个标准的d-pak mosfet，可以减少一半的元件数量，并为每个相位减少一半以上的占板空间，有效压缩工作站和服务器的体积。”

irf6619是理想的同步mosfet，器件的典型导通电阻极低，在10vgs下为1.65mω，在4.5vgs下则为2.2mω，而逆向恢复电荷可以低至22nc。该器件采用mx中罐directfet封装，占板面积与so-8封装相同，高度只有0.7mm。

irf6633的栅电荷极低，米勒电荷只有4nc，最适合作为控制用场效应管。与市场上其他20vn器件相比，其导通电阻和栅电荷减少了43%以上。该器件的混合导通电阻与栅电荷性能效益指数为38 mω-nc。它采用mp中罐directfet封装，占板面积与so-8封装相同，高度同样只有0.7mm。

ir的directfet mosfet封装已获得专利，它汇集了标准塑料分立封装所不具备的一系列设计优点。金属罐构造能发挥双面冷却功能，使得用以驱动先进微处理器的高频dc-dc降压转换器的电流处理能力增加一倍。