多用DC-DC/LDO/Reset复合电路应用
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:370
图1 r5210x典型应用电路
图2 内部框图
r5210x系列是以cmos制程为基础制作的一款多电源管理芯片。在sot-23-6包封内整合了一个具有输出电压范围为1.5~3.3v,输出电流能力为500ma的dc-dc降压器,一个输出电压范围为2.5~3.6v,输出电流能力为200ma的ldo,在输出电流为100ma时,其最低允许压差低达0.2v,同时也整合了一个输出电压范围为3.0~4.5v、可由客户指定输出电压值的电压检测器(复位器)。为节省使用成本,r5210x只需很少的外围器件即可构成完整的功能。
典型应用电路如图1所示,其内部框图如图2所示。
片内dc-dc降压器的振荡频率为800khz,该频率提供了开关损耗和更小外接电感器之前的最佳折衷。在现代mos工艺下,振荡频率如果超过1mhz,则mos管基极电容损耗将会变得很大,会影响到小功率输出时的整个dc-dc转换效率,但如果振荡频率过低,也会导致输出电感器的体积增大。试验证明,在500khz~1mhz之间的振荡频率在目前的工艺下输出中等功率,具最佳性价比。r5210x的功率mos管内置方式dc-dc为用户节省了外接mos管,使用户的使用成本下降,且片内功率mos管的导通电阻低达0.4ω,使得所构成的dc-dc降压器具有近90%的转换效率。
片内所包含的ldo部分,在输出电压3.3v左右时,其最大输出电流高达250ma以上(标称值为200ma)。在300ma左右时具有过流保护能力,其保护曲线呈撇形,即输出电压与输出电流同时减小,从而达到将片上损耗控制在安全区内的目的。该保护电路当负载大幅度变化时,芯片仍可工作于安全区,大大提高了芯片的耐受冲击能力。
片内低压检测芯片,允许用户在构成系统时,以高于3%的精度得到片内附带延时输出的电压检测器。
在sot-23-6封装下,r5210x拥有了dc-dc/ldo/reset功能块,在其小体积中,具有很大的输出能力。r5210x可以广泛应用于cd激光唱机、dvd驱动器、便携式dvd、多功能手机、高档pda、部分数码相机,以及更广泛的电池驱动手持设备中。■
图1 r5210x典型应用电路
图2 内部框图
r5210x系列是以cmos制程为基础制作的一款多电源管理芯片。在sot-23-6包封内整合了一个具有输出电压范围为1.5~3.3v,输出电流能力为500ma的dc-dc降压器,一个输出电压范围为2.5~3.6v,输出电流能力为200ma的ldo,在输出电流为100ma时,其最低允许压差低达0.2v,同时也整合了一个输出电压范围为3.0~4.5v、可由客户指定输出电压值的电压检测器(复位器)。为节省使用成本,r5210x只需很少的外围器件即可构成完整的功能。
典型应用电路如图1所示,其内部框图如图2所示。
片内dc-dc降压器的振荡频率为800khz,该频率提供了开关损耗和更小外接电感器之前的最佳折衷。在现代mos工艺下,振荡频率如果超过1mhz,则mos管基极电容损耗将会变得很大,会影响到小功率输出时的整个dc-dc转换效率,但如果振荡频率过低,也会导致输出电感器的体积增大。试验证明,在500khz~1mhz之间的振荡频率在目前的工艺下输出中等功率,具最佳性价比。r5210x的功率mos管内置方式dc-dc为用户节省了外接mos管,使用户的使用成本下降,且片内功率mos管的导通电阻低达0.4ω,使得所构成的dc-dc降压器具有近90%的转换效率。
片内所包含的ldo部分,在输出电压3.3v左右时,其最大输出电流高达250ma以上(标称值为200ma)。在300ma左右时具有过流保护能力,其保护曲线呈撇形,即输出电压与输出电流同时减小,从而达到将片上损耗控制在安全区内的目的。该保护电路当负载大幅度变化时,芯片仍可工作于安全区,大大提高了芯片的耐受冲击能力。
片内低压检测芯片,允许用户在构成系统时,以高于3%的精度得到片内附带延时输出的电压检测器。
在sot-23-6封装下,r5210x拥有了dc-dc/ldo/reset功能块,在其小体积中,具有很大的输出能力。r5210x可以广泛应用于cd激光唱机、dvd驱动器、便携式dvd、多功能手机、高档pda、部分数码相机,以及更广泛的电池驱动手持设备中。■
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