SMPS应用中新颖超低静态功耗的PWM控制概念
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:442
smps低待机功耗解决方案概述
近几年,开关电源的待机功耗成为一个热点话题,针对不同应用和不同功率范围推出了一些标准。
除了欧美等一些低功耗标准,smps制造商还需要更低的待机功耗,比如0.1w或0.2w。为了满足越来越苛刻的要求,本文提出并分析了一些功率处理解决方案。
对于传统的smps,表1列出了各项功率损耗及其计算公式。其中,为dc总线电压;为启动电阻;为通过mosfet的rms电流;为mosfet导通电阻;为mosfet开启损耗;为mosfet关断损耗;f为smps开关频率;为mosfet管开启后的传导电流;为mosfet管开启之前漏源电压;为mosfet管关断前的传导电流;为mosfet管关断后漏源电压;为二次侧二极管导通电压降;为二次侧二极管的平均导通电流;为二次侧二极管关断损耗。
由于在待机条件下,输出功率很低甚至为零,大多数smps控制器都在不连续模式(dcm)下工作且占空比极小。由于占空比很小,mosfet和二极管的导通损耗以及铁芯损耗可以忽略;在dcm操作下,二次侧二极管的关断损耗、mosfet的开启损耗也可以忽略,因此待机状态下的主要损耗是mosfet关断损耗和启动电阻损耗。
为了获得低待机功耗,目前在smps设计中有一些解决方案被广泛应用。
?可开关的启动电路
用一个开关电路替代电阻可以消除启动电阻损耗。在启动过程中,启动电路开通;而当ic被激活后,启动电路关闭。现有的许多pwm控制器都集成了这个性质,如英飞凌的ice3ds01g。
图2 间歇模式原理
图3 间歇模式下负载突变
图4 240vac下满载工作。channel 1:vds,200v/div;time:5ms/div
图5 轻负载间歇模式 240vac channel 1:vds;200v/div
channel 3: vfb,2v/div;channel 4:vout,50mv/div;time:0.2ms/div
?降频模式
由于mosfet关断损耗与开关频率成比例,因而频率越高损耗越高。然而,从smps基本原理可知,在正常工作模式下,需要利用高频来减小变压器和滤波器等器件的尺寸,而在待机模式下,低频率有利于减小损耗。所以建议在pwm控制器中采用自动降低频率。在一般的负载范围,ic工作在高频,当输出功率下降到某一特定阈值,ic将会自动减小开关频率。
降频模式的优点是,ic总是处于激活状态,对整个负载范围输出稳定;若是负载突然从零增加到满载,或从满载下降到零,ic能快速反应,输出电压下降或过冲很小,并且可控;265vac输入时,无负载条件下的待机功耗可以到0.7w,如coolsettm-f2。其缺点是,为了避免音频噪声,频率不应低于20khz,基于这个最小开关频率,待机功率不可能更低,也不可能满足0.3w的待机功耗需求。
?间歇模式
间歇模式下,有两个时间区间段。在禁止区间段,mosfet不动作,而在另一个区间段则解除此禁止信号, mosfet可以传输功率。待机模式下,禁止段的时间远大于解除段的时间,因而待机功耗非常低。
?输出纹波和间歇频率
图2给出了间歇模式的基本原理。mosfet在ton期间处于工作状态,在toff期间处于关断状态。ton期间,传输到二次侧的功率是。整个周期的平均功率是,其中是间歇模式的占空比开通时间,,间歇频率是。
图6 无负载时间歇模式 240vac channel 1:vds,200v/div
channel 3:vfb,2v/div;channel 4:vout,50mv/div;time:5ms/div
图7 240vac下负载从满载下降到零负载时进入间歇模式
channel 1:vds,200v/div;channel 2:iout,1a/div
channel3:vfb,2v/div;channel 4:vfb,5v/div;time:5mv/div
图8 240vac下从零负载到满载时离开间歇模式
channel 1:vds,200v/div;channel 2:iout。1a/div;
channel3:vfb,2v/div;channel 4:vfb,5v/div;time:0.2mv/div
ton期间的输出电容电荷变化是:
其中iav是从输出电容流出的输出电流平均值。
平均输出电压和输出电压纹波是:
可以看出,输出电压纹波与输出电容和间歇频率成反比。从成本角度讲,不宜使用大电容,因此常以增加间歇频率的做法来减小输出电压纹波到可
smps低待机功耗解决方案概述
近几年,开关电源的待机功耗成为一个热点话题,针对不同应用和不同功率范围推出了一些标准。
除了欧美等一些低功耗标准,smps制造商还需要更低的待机功耗,比如0.1w或0.2w。为了满足越来越苛刻的要求,本文提出并分析了一些功率处理解决方案。
对于传统的smps,表1列出了各项功率损耗及其计算公式。其中,为dc总线电压;为启动电阻;为通过mosfet的rms电流;为mosfet导通电阻;为mosfet开启损耗;为mosfet关断损耗;f为smps开关频率;为mosfet管开启后的传导电流;为mosfet管开启之前漏源电压;为mosfet管关断前的传导电流;为mosfet管关断后漏源电压;为二次侧二极管导通电压降;为二次侧二极管的平均导通电流;为二次侧二极管关断损耗。
由于在待机条件下,输出功率很低甚至为零,大多数smps控制器都在不连续模式(dcm)下工作且占空比极小。由于占空比很小,mosfet和二极管的导通损耗以及铁芯损耗可以忽略;在dcm操作下,二次侧二极管的关断损耗、mosfet的开启损耗也可以忽略,因此待机状态下的主要损耗是mosfet关断损耗和启动电阻损耗。
为了获得低待机功耗,目前在smps设计中有一些解决方案被广泛应用。
?可开关的启动电路
用一个开关电路替代电阻可以消除启动电阻损耗。在启动过程中,启动电路开通;而当ic被激活后,启动电路关闭。现有的许多pwm控制器都集成了这个性质,如英飞凌的ice3ds01g。
图2 间歇模式原理
图3 间歇模式下负载突变
图4 240vac下满载工作。channel 1:vds,200v/div;time:5ms/div
图5 轻负载间歇模式 240vac channel 1:vds;200v/div
channel 3: vfb,2v/div;channel 4:vout,50mv/div;time:0.2ms/div
?降频模式
由于mosfet关断损耗与开关频率成比例,因而频率越高损耗越高。然而,从smps基本原理可知,在正常工作模式下,需要利用高频来减小变压器和滤波器等器件的尺寸,而在待机模式下,低频率有利于减小损耗。所以建议在pwm控制器中采用自动降低频率。在一般的负载范围,ic工作在高频,当输出功率下降到某一特定阈值,ic将会自动减小开关频率。
降频模式的优点是,ic总是处于激活状态,对整个负载范围输出稳定;若是负载突然从零增加到满载,或从满载下降到零,ic能快速反应,输出电压下降或过冲很小,并且可控;265vac输入时,无负载条件下的待机功耗可以到0.7w,如coolsettm-f2。其缺点是,为了避免音频噪声,频率不应低于20khz,基于这个最小开关频率,待机功率不可能更低,也不可能满足0.3w的待机功耗需求。
?间歇模式
间歇模式下,有两个时间区间段。在禁止区间段,mosfet不动作,而在另一个区间段则解除此禁止信号, mosfet可以传输功率。待机模式下,禁止段的时间远大于解除段的时间,因而待机功耗非常低。
?输出纹波和间歇频率
图2给出了间歇模式的基本原理。mosfet在ton期间处于工作状态,在toff期间处于关断状态。ton期间,传输到二次侧的功率是。整个周期的平均功率是,其中是间歇模式的占空比开通时间,,间歇频率是。
图6 无负载时间歇模式 240vac channel 1:vds,200v/div
channel 3:vfb,2v/div;channel 4:vout,50mv/div;time:5ms/div
图7 240vac下负载从满载下降到零负载时进入间歇模式
channel 1:vds,200v/div;channel 2:iout,1a/div
channel3:vfb,2v/div;channel 4:vfb,5v/div;time:5mv/div
图8 240vac下从零负载到满载时离开间歇模式
channel 1:vds,200v/div;channel 2:iout。1a/div;
channel3:vfb,2v/div;channel 4:vfb,5v/div;time:0.2mv/div
ton期间的输出电容电荷变化是:
其中iav是从输出电容流出的输出电流平均值。
平均输出电压和输出电压纹波是:
可以看出,输出电压纹波与输出电容和间歇频率成反比。从成本角度讲,不宜使用大电容,因此常以增加间歇频率的做法来减小输出电压纹波到可
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