安森美半导体推出采用先进硅技术的 pnp 与 npn 器件，丰富了其业界领先的低 vce(sat) 双极结晶体管 (bjt) 产品系列。这两种新型晶体管与传统的 bjt 或平面 mosfet相比，不仅实现了能效的最大化，而且还延长了电池的使用寿命。最新的低 vce(sat) bjt 包括wdfn、sot-23、sot-223、sot-563、chipfet 及 sc-88等多种封装形式，非常适用于多种便携式应用。

安森美半导体最新推出的 nssxxx 低 vce(sat) 表面贴装器件专为对能效控制要求极为严格的低压转换应用而设计。电流为1 a时，该器件可提供45 mv的超低饱和电压及300倍的电流增益。这种低 vce(sat) bjt 还提供超过8 kv的较高的静电放电 (esd) 容差，因此能在突发浪涌情况下自我保护，避免受损。由于实现了出色的电气性能及较低的温度系数，因此这种器件可提高能效，在无需额外 esd 保护电路就能实现更好的电池节能。相对于 mosfet而言，这种器件比较适中的开关速度降低了噪声谐波，因此更适于需要控制电磁干扰(emi)的应用。

安森美半导体的低 vce(sat) bjt 系列产品采用多种业界领先的封装，包括sot-23、sot-223、sot-563、wdfn3、wdfn6、chipfet、sc-88、sc74和tsop6等。每10,000片的批量单价为0.14～0.27美元。