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高增益低饱和电压低压功率双极晶体管

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:581

  8月7日讯,意法半导体(stm)今天推出两款电流-增益特性优异、超低集电极-发射极饱和电压和开关速度快的低压功率双极晶体管stsa851和stn851。两款器件瞄准应急照明和汽车应用,同样也适用于电压调节器、冷阴极荧光照明系统、报警系统、高效低压开关电源和继电器驱动器。

  在这两款器件中,stsa851采用to-92封装,在环境温度25度时,额定总功率1.1 w。stn851 采用sot-223封装,额定总功率1.6w。两款器件都采用npn平面制造技术,基底小岛布局有助于提高增益,降低饱和电压,降低产品成本和器件尺寸(同一电气性能,芯片减少30%),但同时不牺牲任何效率。

主要电气特性:
p/n
vces (v)
vcesat (mv)ic=5a ib=200ma
hfe (a)ic=5a vce=1v
封装
stsa851
150
<450
>90
to-92*
stn851
150
<450
>90
sot-223
此外还有ammopak (stsa851-ap)封装

下图为产品外形图。详情请上网:www.st.com


  8月7日讯,意法半导体(stm)今天推出两款电流-增益特性优异、超低集电极-发射极饱和电压和开关速度快的低压功率双极晶体管stsa851和stn851。两款器件瞄准应急照明和汽车应用,同样也适用于电压调节器、冷阴极荧光照明系统、报警系统、高效低压开关电源和继电器驱动器。

  在这两款器件中,stsa851采用to-92封装,在环境温度25度时,额定总功率1.1 w。stn851 采用sot-223封装,额定总功率1.6w。两款器件都采用npn平面制造技术,基底小岛布局有助于提高增益,降低饱和电压,降低产品成本和器件尺寸(同一电气性能,芯片减少30%),但同时不牺牲任何效率。

主要电气特性:
p/n
vces (v)
vcesat (mv)ic=5a ib=200ma
hfe (a)ic=5a vce=1v
封装
stsa851
150
<450
>90
to-92*
stn851
150
<450
>90
sot-223
此外还有ammopak (stsa851-ap)封装

下图为产品外形图。详情请上网:www.st.com


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