vishay推出新系列 p 沟道 mosfet，这些器件建立了每单位面积最低导通电阻的新记录。
基于新一代 trenchfet 芯片技术的新型 vishay siliconix 器件采用 powerpak sc-70 封装（2.05 mm×2.05 mm）时最大导通电阻额定值为 29 毫欧，采用标准 sc-70 封装（2.0 mm×2.1 mm）时为 80 毫欧，采用 sc-89 封装（1.6 mm×1.6 mm）时为 130 毫欧。

　　与市场上仅次之的 mosfet 相比，这些新型 vishay siliconix 器件的规格表现了高达 63% 的改进。
这些新型 p 沟道 trenchfet 将用于手机、mp3 播放器、pda 及数码相机等便携式终端产品中的负载开关、pa 开关及电池开关，在这些应用中，它们的低传导损失将有助于延长电池的运行时间，它们的微型封装将节省宝贵的板面空间，从而实现更多功能。

　　在便携式电子系统中，通过在显示器或功率放大器等功能不用时关闭它们，或将系统从活动模式切换到睡眠模式，p 沟道 mosfet 执行基本功能，从而节省电池使用时间。执行这些切换任务时，这些新型 vishay siliconix 器件的功耗低于市场上的先前任何 p 沟道功率 mosfet，因为它们超低的导通电阻额定值会直接体现成更低的导电损失。

　　日前推出的 p 沟道 trenchfet 包括具有 -12v、-20v 及 -30v 击穿电压额定值的单通道器件。这些器件采用 6 引脚 sc-89、标准 sc-70 及 powerpak? sc-70 封装，所有封装均无铅 (pb)，符合当今的环保要求。

器件规格表
*将后缀 t1-e3 添加到订单
目前，这些新型 p 沟道 trenchfet 功率 mosfet 的样品和量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为 12～14 周。

详情请访问：http://www.vishay.com