安森美 推出集成充电和电源开关解决方案
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:230
安森美半导体(onsemiconductor)为手机等小形状系数便携电子产品推出集成充电和电源开关电路nus3116。这电路整合了主电池开关、墙式充电开关和usb充电开关于一身,优化手持电子产品的充电性能和节省弥足珍贵的电路板占用空间。
nus3116集成了主电源开关−12伏(v)、−6.2安培(a)的μcool™单p沟道mosfet,处理主电池开关功能;它还集成了两个内部低饱和pnp晶体管,处理双沟道充电功能。其中,主开关mosfet的最大漏-源极导通阻抗(rds(on))为40m,尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低vce(sat)晶体管为高达2a的充电电流提供良好的热性能,且在充电结束时的vce电压降低少于240mv。
nus3116采用无铅型dfn-8封装,仅占用9平方毫米(mm2)电路板空间,与使用三颗tsop-6封装需要互连空间的传统解决方案相比,节省了超过20mm2板级空间。这种封装的高度仅为
0.8mm,使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用nus3116集成器件更可减低电路板布局的复杂性。
nus3116现已供货,每3,000片的批量单价为0.80美元。
nus3116集成了主电源开关−12伏(v)、−6.2安培(a)的μcool™单p沟道mosfet,处理主电池开关功能;它还集成了两个内部低饱和pnp晶体管,处理双沟道充电功能。其中,主开关mosfet的最大漏-源极导通阻抗(rds(on))为40m,尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低vce(sat)晶体管为高达2a的充电电流提供良好的热性能,且在充电结束时的vce电压降低少于240mv。
nus3116采用无铅型dfn-8封装,仅占用9平方毫米(mm2)电路板空间,与使用三颗tsop-6封装需要互连空间的传统解决方案相比,节省了超过20mm2板级空间。这种封装的高度仅为
0.8mm,使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用nus3116集成器件更可减低电路板布局的复杂性。
nus3116现已供货,每3,000片的批量单价为0.80美元。
安森美半导体(onsemiconductor)为手机等小形状系数便携电子产品推出集成充电和电源开关电路nus3116。这电路整合了主电池开关、墙式充电开关和usb充电开关于一身,优化手持电子产品的充电性能和节省弥足珍贵的电路板占用空间。
nus3116集成了主电源开关−12伏(v)、−6.2安培(a)的μcool™单p沟道mosfet,处理主电池开关功能;它还集成了两个内部低饱和pnp晶体管,处理双沟道充电功能。其中,主开关mosfet的最大漏-源极导通阻抗(rds(on))为40m,尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低vce(sat)晶体管为高达2a的充电电流提供良好的热性能,且在充电结束时的vce电压降低少于240mv。
nus3116采用无铅型dfn-8封装,仅占用9平方毫米(mm2)电路板空间,与使用三颗tsop-6封装需要互连空间的传统解决方案相比,节省了超过20mm2板级空间。这种封装的高度仅为
0.8mm,使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用nus3116集成器件更可减低电路板布局的复杂性。
nus3116现已供货,每3,000片的批量单价为0.80美元。
nus3116集成了主电源开关−12伏(v)、−6.2安培(a)的μcool™单p沟道mosfet,处理主电池开关功能;它还集成了两个内部低饱和pnp晶体管,处理双沟道充电功能。其中,主开关mosfet的最大漏-源极导通阻抗(rds(on))为40m,尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低vce(sat)晶体管为高达2a的充电电流提供良好的热性能,且在充电结束时的vce电压降低少于240mv。
nus3116采用无铅型dfn-8封装,仅占用9平方毫米(mm2)电路板空间,与使用三颗tsop-6封装需要互连空间的传统解决方案相比,节省了超过20mm2板级空间。这种封装的高度仅为
0.8mm,使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用nus3116集成器件更可减低电路板布局的复杂性。
nus3116现已供货,每3,000片的批量单价为0.80美元。
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