位置:51电子网 » 技术资料 » 电源技术

Fairchild 推出功率器件解决方案

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:244

  飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新stealth™ ii 和 hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源 (smps) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm (连续电流模式) 功率因数校正 (pfc) 设计中改善emi 和 mosfet开关损耗。

  同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间 (trr < 35ns @ 600v击穿电压) 和很低的前向电压降(vf < 2.1v),有助于在dcm (不连续电流模式) pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet™ 及 superfet™ mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。

  lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下:ccm 和 dcm。为了优化ccm设计,飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合,其开关损耗比较前一代产品可降低10%。同样地,飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用,在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。

  现在的lcd tv smps必须在开关模式工作中降低功耗,并同时保持系统性能和可靠性。飞兆半导体现有的superfet快速恢复mosfet (frfet) 产品便经过优化以满足这种设计要求。结合superfet技术和控制少子寿命的工艺,superfet frfet能够提高体二极管的性能、对关断电压变化dv/dt的抗扰性,以及降低其emi。

  全新stealth ii和hyperfast ii产品采用采用无铅封装,能达到或甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。

供货: 现货

交货期: 收到订单后12周内




  飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新stealth™ ii 和 hyperfast ii二极管技术,作为其专为lcd tv开关电源 (smps) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm (连续电流模式) 功率因数校正 (pfc) 设计中改善emi 和 mosfet开关损耗。

  同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管,具有很快的反向恢复时间 (trr < 35ns @ 600v击穿电压) 和很低的前向电压降(vf < 2.1v),有助于在dcm (不连续电流模式) pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet™ 及 superfet™ mosfet技术系列相结合,并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案,可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性,并同时降低emi。

  lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下:ccm 和 dcm。为了优化ccm设计,飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合,其开关损耗比较前一代产品可降低10%。同样地,飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用,在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。

  现在的lcd tv smps必须在开关模式工作中降低功耗,并同时保持系统性能和可靠性。飞兆半导体现有的superfet快速恢复mosfet (frfet) 产品便经过优化以满足这种设计要求。结合superfet技术和控制少子寿命的工艺,superfet frfet能够提高体二极管的性能、对关断电压变化dv/dt的抗扰性,以及降低其emi。

  全新stealth ii和hyperfast ii产品采用采用无铅封装,能达到或甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。

供货: 现货

交货期: 收到订单后12周内




相关IC型号

热门点击

 

推荐技术资料

Seeed Studio
    Seeed Studio绐我们的印象总是和绘画脱离不了... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!