飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor) 推出全新stealth™ ii 和 hyperfast ii二极管技术，作为其专为lcd tv开关电源 (smps) 应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的ffp08s60s 和 ffpf08s60s stealth ii二极管具有出色的软恢复能力 (tb/ta > 1.3) 和极短的反向恢复时间 (trr < 25ns @ 600v击穿电压)。这些特性非常适合于在ccm (连续电流模式) 功率因数校正 (pfc) 设计中改善emi 和 mosfet开关损耗。

　　同时推出的还有ffpf08h60s hyperfast ii二极管，具有很快的反向恢复时间 (trr < 35ns @ 600v击穿电压) 和很低的前向电压降(vf < 2.1v)，有助于在dcm (不连续电流模式) pfc设计中减小传导损耗及提高能效。新stealth ii 和 hyperfast ii技术的开发是要与飞兆半导体现有的unifet™ 及 superfet™ mosfet技术系列相结合，并且相辅相成。这一庞大的产品组合提供了完整的解决方案，可以提高lcd tv电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低emi。

　　lcd tv的smps一般工作在两类pfc电流模式下：ccm 和 dcm。为了优化ccm设计，飞兆半导体的新型ffp/pf08s60s stealth ii快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的unifet mosfet同用。unifet器件与新型的stealth ii二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%。同样地，飞兆半导体新推出的ffpf08h60s hyperfast ii二极管也可与相同的unifet器件共同使用，在dcm pfc工作模式下提高效率和雪崩保护能力。

　　现在的lcd tv smps必须在开关模式工作中降低功耗，并同时保持系统性能和可靠性。飞兆半导体现有的superfet快速恢复mosfet (frfet) 产品便经过优化以满足这种设计要求。结合superfet技术和控制少子寿命的工艺，superfet frfet能够提高体二极管的性能、对关断电压变化dv/dt的抗扰性，以及降低其emi。

　　全新stealth ii和hyperfast ii产品采用采用无铅封装，能达到或甚至超越ipc/jedec的j-std-020c标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

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