东芝宣布已经开发出一个新的gan（gallium nitride）功率型场效应管（fet），用于ku波段（12ghz到18ghz）频率范围，当输出功率为65.4w时可达14.54ghz。这一新三极管的主要应用为载有高容量信号的卫星微波通信的基站，包括高清晰广播。东芝计划这一新的功率fet将在2007年底试销，2008年3月量产。

　　接近ku波段的微波放大器的焦点在于，在这一带宽中用半导体尤其是gan器件取代传统的电子管，因为gan器件可以以较高的微波频率提供有利的高功率特性。

　　新的功率型fet具有一个高电子迁移率晶体管（hemt）架构，toshiba把这一架构优化于ku波段，并且通过通孔技术取代电源引线接合，从而降低了寄生电感，也通过ku波段频率为实际应用改善了匹配电路的总体设计。

　　不论是新器件还是更换的电子管，雷达和卫星微波通信基站对于gan功率fet的需求在稳定增长，东芝将会用其新的早期的商用化ku波段功率fet来满足这些需求。

新的gan功率fet的详细信息于2007年10月8号到12号德国慕尼黑举办的european microwave conference中公布。

关键特性