zetexsemiconductors公司，推出一系列微型npn及pnp晶体管，以迎合新一代电源设备中mosfet栅极驱动需求。全新的zxtn及zxtp晶体管是首次采用sot23ff封装的双极器件，占板面积为2.5x3mm，板外高度只有1mm。它们可提供更低的饱和电压和更高的电流增益保持，有助于改善电路效率和降低工作温度。

　　zetex亚太区销售副总裁李锦华表示：“我们最新的双极晶体管能够支持20v至100v的工作电压，使mosfet栅极能以更高速度、更具效率地运行，胜过同类cmos集成电路。它们同时还具有抗锁定功能，从而提升整个系统的可靠性。另外，由于产品采用sot23ff封装，因此可以安装在最靠近mosfet的位置，有助于降低线路电感和振铃效应。”

　　20v的zxtn19020cff和zxtp19020cff能保证在7a和5a电流下分别提供100和110的增益。如果采用共发射极配置连接，它们更能提供极快速的切换，传播时间少于2ns，升降时间在10ns和20ns之间。该类产品的峰值电流性能高达15a，是用于栅极驱动集成电路极具成本效益的替代产品。

　　在用于p oldc-dc模块和应急照明设备的、采用自振荡和推挽拓朴结构的饱和式开关应用中，晶体管的低饱和电压能力可提供显著的优势。以额定电压为60v的zxtn19060cffnpn产品为例，它在1a电流和10ma基极驱动下的饱和电压仅为150mv，在2a电流和40ma基极驱动下为135mv。