安森美推出集成充电和电源开关电路NUS3116
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:310
nus3116 集成了主电源开关 12 伏 (v)、6.2 安培 (a) 的 μcool单 p 沟道 mosfet,处理主电池开关功能;它还集成了两个内部低饱和 pnp 晶体管,处理双沟道充电功能。其中,主开关mosfet的最大漏-源极导通阻抗 (rds(on)) 为 40m欧姆,尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低 vce(sat) 晶体管为高达 2 a 的充电电流提供良好的热性能,且在充电结束时的 vce 电压降低少于 240 mv。
nus3116 采用无铅型 dfn-8 封装,仅占用 9 平方毫米 (mm2) 电路板空间,与使用三颗 tsop-6 封装需要互连空间的传统解决方案相比,节省了超过 20 mm2 板级空间。这种封装的高度仅为 0.8 mm,使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用 nus3116 集成器件更可减低电路板布局的复杂性。
nus3116 现已供货,每3,000片的批量单价为 0.80 美元。
nus3116 集成了主电源开关 12 伏 (v)、6.2 安培 (a) 的 μcool单 p 沟道 mosfet,处理主电池开关功能;它还集成了两个内部低饱和 pnp 晶体管,处理双沟道充电功能。其中,主开关mosfet的最大漏-源极导通阻抗 (rds(on)) 为 40m欧姆,尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低 vce(sat) 晶体管为高达 2 a 的充电电流提供良好的热性能,且在充电结束时的 vce 电压降低少于 240 mv。
nus3116 采用无铅型 dfn-8 封装,仅占用 9 平方毫米 (mm2) 电路板空间,与使用三颗 tsop-6 封装需要互连空间的传统解决方案相比,节省了超过 20 mm2 板级空间。这种封装的高度仅为 0.8 mm,使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用 nus3116 集成器件更可减低电路板布局的复杂性。
nus3116 现已供货,每3,000片的批量单价为 0.80 美元。