安森美半导体推新高效电源管理解决方案
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:304
nus3116集成了主电源开关12伏(v)、6.2安培(a)的μcool单p沟道mosfet，处理主电池开关功能；它还集成了两个内部低饱和pnp晶体管，处理双沟道充电功能。其中，主开关mosfet的最大漏-源极导通阻抗(rds(on))为40mw，尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低vce(sat)晶体管为高达2a的充电电流提供良好的热性能，且在充电结束时的vce电压降低少于240mv。
nus3116采用无铅型dfn-8封装，仅占用9平方毫米(mm2)电路板空间，与使用三颗tsop-6封装需要互连空间的传统解决方案相比，节省了超过20mm2板级空间。这种封装的高度仅为0.8mm，使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用nus3116集成器件更可减低电路板布局的复杂性。
nus3116现已供货，每3,000片的批量单价为0.80美元。
nus3116集成了主电源开关12伏(v)、6.2安培(a)的μcool单p沟道mosfet，处理主电池开关功能；它还集成了两个内部低饱和pnp晶体管，处理双沟道充电功能。其中，主开关mosfet的最大漏-源极导通阻抗(rds(on))为40mw，尽量降低便携电子产品电池工作期间的功率损耗。而两个低vce(sat)晶体管为高达2a的充电电流提供良好的热性能，且在充电结束时的vce电压降低少于240mv。
nus3116采用无铅型dfn-8封装，仅占用9平方毫米(mm2)电路板空间，与使用三颗tsop-6封装需要互连空间的传统解决方案相比，节省了超过20mm2板级空间。这种封装的高度仅为0.8mm，使得该器件适合于极小形状系数的便携电子产品设计。采用nus3116集成器件更可减低电路板布局的复杂性。
nus3116现已供货，每3,000片的批量单价为0.80美元。
相关技术资料- 5-21带控制引脚锂电保护芯片 SC5617E
- 5-21全新互连技术—NVLink Fusion
- 5-21最新一代GB300 AI系统技术参数设计
- 5-21Data Center Building Block Soluti
- 5-21新品4U前端I/O NVIDIA HGX™B200 8
- 5-21DLC-2第二代直接液冷技术（Direct Liqu
- 5-20最新一代低功耗无线射频芯片OM6629系列方案
- 5-20新一代 Zen 6 EPYC 处理器 Venice
- 5-20Immortalis-G925 GPU工作原理
- 5-20Hopper架构H20芯片应用前景分析
- 5-20传感器、芯片和算力平台、通信模块、执行机构名词解释
- 5-20Automatic Emergency Braking自动紧急制动
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
