NEC电子推出8款汽车用功率MOSFET产品
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:292
nec电子近日完成了8款用于汽车的p沟道功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。
此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中np50p04等4款产品为40v耐压、导通阻抗为业界最低的产品；另外4款产品与现有的60v耐压品相比，导通阻抗最大可减至一半。
对于汽车厂商及器件厂商等用户而言，使用低导通阻抗产品可以减少电流流经时产生的热量，从而减轻电路设计时的负担。
新产品的样品价格因耐压及导通阻抗的不同而有所差异，其中np50p04（40v耐压、导通阻抗9.6 mω）的样品价格为150日元/个。批量生产将从2007年年底开始，生产规模预计可达50万个/月。
近几年，汽车市场对高性能、高功能化及重视环保问题等的要求日趋强烈，对汽车的各种功能实行电子控制以及用于其中的半导体产品的市场也随之呈现出飞速增长的趋势。功率mosfet是电子控制单元中使用最多的电子器件之一，它与传统使用的机械式继电器相比，不仅可以避免因接触而产生的损耗，而且还具有应答速度快等多种优势，因此被广泛应用在助力转向系统、电动车窗、安全气囊、abs等控制系统中。
根据驱动时加在功率mosfet栅极上的驱动电压的正负将其分为p沟道（负）产品和n沟道（正）产品。p沟道产品主要用于电流为数十安培(a)的车前灯等控制开关、燃料泵的开关; n沟道产品主要用于大电流的电动助力转向系统（eps：electric power steering）。为了满足用户对p沟道和n沟道功率mosfet的综合需求，nec电子在不断丰富n沟道产品的同时，推出了40v耐压的低导通阻抗p沟道产品。
新产品的主要规格：
（备注1）p沟道：栅极驱动电压为负电压，因此更容易适用于高电压装置。
（备注2）导通阻抗：mosfet在导通（on）状态下的阻抗。阻抗值越小，损耗越小，所能承载的电流越大。
nec电子近日完成了8款用于汽车的p沟道功率mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管)小型封装产品的开发，并将于即日起开始发售样品。
此次推出的新产品主要用于继电器、电机等通过电流为数十安培的控制单元，其中np50p04等4款产品为40v耐压、导通阻抗为业界最低的产品；另外4款产品与现有的60v耐压品相比，导通阻抗最大可减至一半。
对于汽车厂商及器件厂商等用户而言，使用低导通阻抗产品可以减少电流流经时产生的热量，从而减轻电路设计时的负担。
新产品的样品价格因耐压及导通阻抗的不同而有所差异，其中np50p04（40v耐压、导通阻抗9.6 mω）的样品价格为150日元/个。批量生产将从2007年年底开始，生产规模预计可达50万个/月。
近几年，汽车市场对高性能、高功能化及重视环保问题等的要求日趋强烈，对汽车的各种功能实行电子控制以及用于其中的半导体产品的市场也随之呈现出飞速增长的趋势。功率mosfet是电子控制单元中使用最多的电子器件之一，它与传统使用的机械式继电器相比，不仅可以避免因接触而产生的损耗，而且还具有应答速度快等多种优势，因此被广泛应用在助力转向系统、电动车窗、安全气囊、abs等控制系统中。
根据驱动时加在功率mosfet栅极上的驱动电压的正负将其分为p沟道（负）产品和n沟道（正）产品。p沟道产品主要用于电流为数十安培(a)的车前灯等控制开关、燃料泵的开关; n沟道产品主要用于大电流的电动助力转向系统（eps：electric power steering）。为了满足用户对p沟道和n沟道功率mosfet的综合需求，nec电子在不断丰富n沟道产品的同时，推出了40v耐压的低导通阻抗p沟道产品。
新产品的主要规格：
（备注1）p沟道：栅极驱动电压为负电压，因此更容易适用于高电压装置。
（备注2）导通阻抗：mosfet在导通（on）状态下的阻抗。阻抗值越小，损耗越小，所能承载的电流越大。
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