奥地利微电子8位数字电位器带有高性能EEPROM
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:260
as1506的最大待机电流为500na,包括cmos写操作电流在内的最大工作电流只有200μa。as1506采用2.7至5.5v单电源工作,端到端电阻的温度系数为90ppm/℃。as1506具有±0.5lsb(最大值)的积分非线性(inl)和±0.5lsb(最大值)的微分非线性(dnl)。
as1506数字电位器将滑动端信息存储在具有高耐用性、高性能和超长保持时间(hi-epr)的集成eeprom内,可提供超多写入次数和超长数据保持时间。25℃条件下,奥地利微电子公司的hi-epr eeprom允许进行1,000万次写入操作,在85℃条件下仍可进行100万次写入操作,是传统高等级eeprom的50倍。此外,as1506在85℃时可实现难以置信的150年数据保持时间,比标准的高等级eeprom的信息存储时间长15倍。
as1506采用8引脚、小尺寸、tdfn(3×3mm)封装。
as1506的最大待机电流为500na,包括cmos写操作电流在内的最大工作电流只有200μa。as1506采用2.7至5.5v单电源工作,端到端电阻的温度系数为90ppm/℃。as1506具有±0.5lsb(最大值)的积分非线性(inl)和±0.5lsb(最大值)的微分非线性(dnl)。
as1506数字电位器将滑动端信息存储在具有高耐用性、高性能和超长保持时间(hi-epr)的集成eeprom内,可提供超多写入次数和超长数据保持时间。25℃条件下,奥地利微电子公司的hi-epr eeprom允许进行1,000万次写入操作,在85℃条件下仍可进行100万次写入操作,是传统高等级eeprom的50倍。此外,as1506在85℃时可实现难以置信的150年数据保持时间,比标准的高等级eeprom的信息存储时间长15倍。
as1506采用8引脚、小尺寸、tdfn(3×3mm)封装。