vishay(威世)日前宣布推出业界首批在1.2v栅源电压时具有额定导通电阻值的功率mosfet，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长便携式电子系统中的电池运行时间。

额定电压为1.2v的这些新型vishay siliconix trenchfet器件使mosfet导通电压与移动电子设备中使用的数字ic的1.2v～1.3v工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计。作为首批可直接从1.2v总线驱动的功率mosfet，这些新型trenchfet还提供了额外潜在优势，通过它们，在内核电压低于1.8v的电池供电系统中无需额外的转换。

在额定电压最低为1.5v的mosfet中，在更低的未指定栅源电压(例如1.2v)时导通电阻一般会按指数级增加。通过比较，这些新型1.2v trenchfet在1.2v栅极驱动时提供了确保的低至0.041ω的n通道导通电阻以及低至0.095ω的p通道导通电阻。1.5v栅极驱动的导通电阻性能高于最低栅源电压规格为1.5v的器件中的导通电阻性能：低至 0.022(n通道)和0.058(p通道)。

日前推出的这些器件(以及它们的封装类型)为n通道sia414dj(powerpak sc-70)、si8424db(micro foot)及sib414dk(powerpak sc75)，以及p通道sia417dj(powerpak sc-70)、si8429db(micro foot)及sib417dk(powerpak sc-75)。先前推出的采用sc-70封装的p通道si1499dh完善了vishay的1.2v功率mosfet产品系列。

这些新型器件的一般应用包括手机、pda、mp3播放器、数码相机及其他便携式系统中的负载、功率放大器及电池充电器开关。除凭借低导通电阻节省电池电量外，这些新型器件还可凭借1.5mm×1.5mm的小型封装尺寸节省空间。

目前，所有七款1.2v器件的样品及量产批量均可提供，大宗订单的供货周期为8～10周。