std11nm60n的主要特性包括一个优异的二极管dv/dt性能和出色的雪崩特性，使用户能够把工作温度保证在正常的工作温度范围内。因为传导损耗和功耗都很低，该器件还有助于客户降低散热器的尺寸，从而大大节省了电路板的空间。

该芯片精巧的尺寸，再加上微型的dpak/ipak和to-220fp 封装，使之特别适合照明应用产品，例如，大功率因数电子镇流器和高强度放电灯（hid）电子镇流器。

std11nm60n现已量产。 订购10,000件，单价0.90美元。

技术说明:

st的mdmeshtm (多漏极网格tm)技术的卓越性能归功于一个创新的漏极结构，在这个漏极结构中，漏极是半导体纵向延伸的垂直p型带与横向n型源极薄带组成的隔离阵列。 在新一代 mdmesh技术mdmesh ii中，得到进一步改良的p型带阵列比前一代mdmesh技术降低通态电阻 55% rds (on) ，而这个优异的性能不是以牺牲对温度特性的精确控制为代价的。