ST推出微欧功率MOSFET提高并联服务器电源能效
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:240
意法半导体(st)推出一款型号为stv300nh02l的新的功率mosfet，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的n沟道mosfet器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。
st开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。
关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。
stv300nh02l采用powerso-10封装，订货1,000件，单价4.50美元。
意法半导体(st)推出一款型号为stv300nh02l的新的功率mosfet，这款新产品的特性是导通电阻极低，达到微欧的水平，在要求严格的电源系统中，新产品有助于降低损耗，提高能效。这个高电流的n沟道mosfet器件是为并联电源专门设计的，为了提高系统的可靠性，服务器广泛使用并联电源冗余结构。
st开发出一项引线带楔焊键合创新技术，典型导通电阻rds(on)极低，只有800微欧(0.8毫欧)，为高电流的mosfet器件创造了一个新的工业基准。这款20v的产品是降低高效直流直流变换器二次侧功耗的理想器件，短路保护功能十分优越，关断时间极短。
关键系统经常使用并联电源来提供冗余电源，或者用于提高电源输出功率。过去这个功能通常使用二极管，现在，为了实现更高的性能，mosfet取代了二极管。现在功耗低的stv300nh02l在电源效率上又向前迈出了一大步。
stv300nh02l采用powerso-10封装，订货1,000件，单价4.50美元。
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