飞兆半导体公司(fairchildsemiconductor)近日推出fga25n120antd1200vnpt沟道igbt，它结合了极佳的抗雪崩能力和经优化的开关及导通损耗性能权衡，能为电磁加热(ih)应用提高系统可靠性和效率。

　　该产品专为微波炉、ih电饭煲和其它ih炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，能够延长系统寿命。此款igbt采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(npt)技术，这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺，使它能够耐受最大450mj的雪崩能量，确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。

　　飞兆半导体功能功率部副总裁taehoonkim表示：“在电磁加热设备中，不稳定的功率、ac线路浪涌和系统故障均会引起雪崩模式情况，导致机器瞬间失效。为了解决ih应用中的这些可靠性问题，这款新型1200vnpt沟道igbt提供了极佳的抗雪崩能力，还同时优化性能方面的权衡，以降低工作温度，提升总体系统效率。”

　　fga25n120antd已达到ipc/jedec的j-std-020b标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。该产品采用to-3p无铅封装，以1,000个位采购单位，单价为2.50美元。