为了满足业界对更小巧轻薄、更快速、散热更好及性能更可靠的便携式应用mosfet器件的需求，安森美半导体

　　(onsemiconductor)日前推出具备良好效能与设计灵活度的功率mosfet产品μcool系列，首批推出的六款μcool器件采用强化散热的超小型wdfn6封装。

　　据介绍，新推出的六款μcool产品采用外露漏极dfn封装技术，可以在4平方毫米面积上取得良好的热阻(38℃/w)与额定功率(1.9w)，额定持续功率比业界标准sd-88封装提高了190%，比sd-70-6扁平引脚封装提高了130%。由功率的角度来看，采用wdfn6封装的μcool器件能更有效的使用便携式应用中宝贵的电路板空间。

　　安森美半导体功率mosfet产品市场营销总监thibaultkassir说:“我们设计μcool产品系列的主要目的是解决便携式设备，例如锂离子电池充电电路、高/低电压端负载开关以及同步升降压电路中所面临的电源管理问题。这些μcool器件只是一个开端，我们将陆续提供一系列采用最新沟槽式技术的产品，工作电压范围由8v到30v，并提供各种不同配置，包括单/双、fetky、互补/集成型负载开关。”

　　虽然μcool功率mosfet系列拥有与标准sc-88和sc-70-6封装相同的占位面积，但是安森美的mosfet产品提供了更多性能，它在底面露出一个可以做为漏极接点以及散热路径的连接面，强化后的散热路径能处理更高功率或在更低接点温度工作。这些选择在采用电池运作的设备上更为重要，因为更低的接点温度也就代表了更低的导通电阻rds(on)或更少的功耗，也就是说可以延长电池的使用时间，而这正是手机、数字相机，便携式游戏机、便携式全球定位系统或任何采用电池运作的消费电子产品在考虑许多功耗问题时的一个极重要因素。

　　安森美半导体便携式应用mosfet产品市场营销经理tomzemites说:“μcool产品系列在便携式产品应用上不论是尺寸、热阻及额定功率上的表现都相当优异，尤其是与较大尺寸封装，如micro-8、tsop-6与chipfet等比较时。我们为业界带来了能够让设计工程师在不牺牲效能的情况下大幅缩小电路板占用空间的更小型化功率封装。”

　　这六款新μcool功率mosfet器件现已提供样品并已进入批量生产，较大数量订单的供货日程为6到8周。其中，20vp-通道单ntljs3113pt1g与双ntljd3115pt1g均经优化,适用于锂离子电池充电应用，在4.5v时导通电阻rds(on)分别为42mω与100mω，每10,000件的批量单价分别为0.30与0.31美元；20vp-通道fetkyntljf3117pt1g(100mω)经优化，适用于将3v到4v电池电压转换为微处理器使用的1.1v电压应用，每10,000件的批量单价为0.31美元；30vn-通道ntljs4159nt1g(35mω)与fetkyntljf4156nt1g(70mω)经优化，适用于如白光led背光的同步升压应用，每10,000件的批量单价分别为0.29与0.30美元；30vn-通道双ntljd4116nt1g(70mω)经优化，适用于低电压端开关，例如照相机快门与闪光，每10,000件的批量单价为0.30美元。