晶体二极管及晶体管放大电路

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:459

　　半导体二极管及其特性

　　半导体二极管按其结构和制造工艺的不同，可以分为点接触型和面接触型两种。

　　点接触二极管是在p型硅晶晶体或n型锗晶体的表面上，安装上一根用钨或金丝做成的触针，与晶体表面接触而成，然后加以电流处理，使触针接触处形成一层异型的晶体。很据所用金属丝的不同，分别称之为钨键二极管和金键二极管。国产2apl一7和2apll—17型半导体二极管即属此类。但前者触针是钨丝，后者是金丝。

　　面接触型二极管多数系用合金法制成。在n型锗晶体的表面上安放上一块铟，然后在高温下使一部分锗熔化于铟内。接着将温度降低，使熔化于姻内的锗又沉淀而出，形成p型晶体。此p型晶体与末熔化的n型晶体组成p—n结。

　　点接触型半导体二极管具有较小的接触面积，因而触针与阻挡层间的电容饺小(约1微微法)；而面接触型二极管的极间电容较大，约为15一20微微池。因此，前者适合于在频率较高的场合工作，而后者只适宜于频率低于50千赫以下的地方工作；另外前者允许通过的电流小，在无线电设备中宜作检波用，后者可通过较大之电流，多用于整流。

　　常用的半导体二极管其特性指标参数意义如下

：

　　1.工作频率范围f(mhz)：指由于p—n结电容的影响，二极管所能应用的频率范围。

　　2.最大反向电压vmax(v)：指二极管两端允许的反向电压，一般比击穿电压小。反向电压超过允许值时，在环境影响下，二极管有被击穿的危险。

　　3.击穿电压vb(v)：当二极管逐渐加上一定的反向电压时，反向电流突然增加，这时的反向电压叫反向击穿电压。这时二极管失去整流性能。

　　4.整流电流i(ma)i指二极管在正常使用时的整流电流平均值。

　　晶体三极管及其工作原理

　　晶体三极管系由俩个p—n结组合而成。根据组合方式的不同，有pnp型及npn型两种。它们的工作原理是完全相同的。

　　晶体三极管的制造方法有生长法、合金法和扩散法等数种。出于生长法工艺复杂，质量控制困难，目前已被淘汰。合金法工艺简单，价格低廉，目前多采用此法生产。国产3axl—5型晶体管即采用合金法制成。合金法制成的晶体管的缺点是结的厚度不易精确控制，因而工作频率不高。

　　扩散法的优点是p—n结的厚度可以精确控制，能获得很薄的扩散层，因而工作频率可以大大提高。国产3agll一14即属此型，适易在高频下工作。

　　晶体三极管共有三个不同的导电区域，例如两个p型区夹着一个n型区(p—n—p)，或两个n型区夹着一个p型区n一p—n)，就做成了晶体三极管的基本部分——管芯。在每两个导电区之间都形成一个p—n结，所以无论是哪一种晶体三极管，都含有两个p—n结。按照它们不同的作用，分别叫做发射结和集电结。两个结把一块完整的晶体分成三个区。如果两边是空穴导电的p型区，而中间是电子导电的n型区，我们就称它为p—n—p型晶体三极管，反之，如果两边是n型区，中间是p型区，就叫n—p—n型晶体三极管。晶体三极管的三个区域，根据作用的不同，分别叫做发射区、基区和集电区，它们是三极管的三个电极，分别叫做发射极、基极和集电极。为方便起见，常以拉丁字母e、b、c表示。

　　晶体三极管的工作原理基本上可以用它的放大作用来解释。因为，放大原理是晶体管一切工作的基础。

　　我们知道，在p一n结两端不加电压，电子和空穴的扩散受p—n结势垒电压的阻止，无法继续进行。还知道：加正向电压可使p—n结阻挡层势垒电压降低，扩散就能够继续进行；如果加反向电压，将增高势垒电压，扩散就停止。

　　现在假定：在晶体三极管的发射结加正向电压(p区接电池正极，n区接负极)，集电结加反向电压(p区接电池负极，n区接正