开关稳压电源
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:418
引言
开关稳压电源(以下简称开关电源)问世后,在很多领域逐步取代了线性稳压电源和晶闸管相控电源。早期出现的是串联型开关电源,其主电路拓扑与线性电源相仿,但功率晶体管工作于开关状态。随着脉宽调制(pwm)技术的发展,pwm开关电源问世,它的特点是用20khz的载波进行脉冲宽度调制,电源的效率可达65%~70%,而线性电源的效率只有30%~40%。因此,用工作频率为20 khz的pwm开关电源替代线性电源,可大幅度节约能源,从而引起了人们的广泛关注,在电源技术发展史上被誉为20khz革命。随着超大规模集成(ultra-large-scale-integrated-ulsi)芯片尺寸的不断减小,电源的尺寸与微处理器相比要大得多;而航天、潜艇、军用开关电源以及用电池的便携式电子设备(如手提计算机、移动电话等)更需要小型化、轻量化的电源。因此,对开关电源提出了小型轻量要求,包括磁性元件和电容的体积重量也要小。此外,还要求开关电源效率要更高,性能更好,可靠性更高等。这一切高新要求便促进了开关电源的不断发展和进步。
1 开关电源的三个重要发展阶段
40多年来,开关电源经历了
三个重要发展阶段。
第一个阶段是功率半导体器件从双极型器件(bpt、scr、gt0)发展为mos型器件(功率mos-fet、igbt、igct等),使电力电子系统有可能实现高频化,并大幅度降低导通损耗,电路也更为简单。
第二个阶段自20世纪80年代开始,高频化和软开关技术的研究开发,使功率变换器性能更好、重量更轻、尺寸更小。高频化和软开关技术是过去20年国际电力电子界研究的热点之一。
第三个阶段从20世纪90年代中期开始,集成电力电子系统和集成电力电子模块(ipem)技术开始发展,它是当今国际电力电子界亟待解决的新问题之一。
2 开关电源技术的亮点
2.1 功率半导体器件性能
1998年,infineon公司推出冷mos管,它采用“超级结”(super-junction)结构,故又称超结功率mosfet。工作电压600~800v,通态电阻几乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一种有发展前途的高频功率半导体器件。
igbt刚出现时,电压、电流额定值只有600v、25a。很长一段时间内,耐压水平限于1200~1700v,经过长时间的探索研究和改进,现在 igbt的电压、电流额定值已分别达到3300v/1200a和4500v/1800a,高压igbt单片耐压已达到6500v,一般igbt的工作频率上限为20~40khz,基于穿通(pt)型结构应用新技术制造的igbt,可工作于150khz(硬开关)和300khz(软开关)。
igbt的技术进展实际上是通态压降,快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同,igbt在20年的发展进程中,有以下几种类型:穿通(pt)型、非穿通(npt)型、软穿通(spt)型、沟漕型和电场截止(fs)型。
碳化硅(sic)是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、pn结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。
可以预见,碳化硅将是21世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料。
2.2 开关电源功率密度
提高开关电源的功率密度,使之小型化、轻量化,是人们不断追求的目标。这对便携式电子设备(如移动电话,数字相机等)尤为重要。使开关电源小型化的具体办法有以下几种。
一是高频化。为了实现电源高功率密度,必须提高pwm变换器的工作频率、从而减小电路中储能元件的体积重量。
二是应用压电变压器。应用压电变压器可使高频功率变换器实现轻、小、薄和高功率密度。压电变压器利用压电陶瓷材料特有的“电压-振动”变换和“振动-电压”变换的性质传送能量,其等效电路如同一个串并联谐振电路,是功率变换领域的研究热点之一。
三是采用新型电容器。为了减小电力电子设备的体积和重量,须设法改进电容器的性能,提高能量密度,并研究开发适合于电力电子及电源系统用的新型电容器,要求电容量大、等效串联电阻(esr)小、体积小等。
2.3 高频磁性元件
电源系统中应用大量磁元件,高频磁元件的材料、结构和性能都不同于工频磁元件,有许多问题需要研究。对高频磁元件所用的磁性材料,要求其损耗小、散热性能好、磁性能优越。适用于兆赫级频率的磁性材料为人们所关注,纳米结晶软磁材料也已开发应用。
2.4 软开关技术
高频化以后,为了提高开关电源的效率,必须开发和应用软开关技术。它是过去几十年国际电源界的一个研究热点。
pwm开关电源按硬开关模式工作(开/关过程中电压下降/上升和电流上升/下降波形有交叠),因而开关损耗大。高频化虽可以缩小体积重量,但开关损耗却更大了。为此,必须研究开关
引言
开关稳压电源(以下简称开关电源)问世后,在很多领域逐步取代了线性稳压电源和晶闸管相控电源。早期出现的是串联型开关电源,其主电路拓扑与线性电源相仿,但功率晶体管工作于开关状态。随着脉宽调制(pwm)技术的发展,pwm开关电源问世,它的特点是用20khz的载波进行脉冲宽度调制,电源的效率可达65%~70%,而线性电源的效率只有30%~40%。因此,用工作频率为20 khz的pwm开关电源替代线性电源,可大幅度节约能源,从而引起了人们的广泛关注,在电源技术发展史上被誉为20khz革命。随着超大规模集成(ultra-large-scale-integrated-ulsi)芯片尺寸的不断减小,电源的尺寸与微处理器相比要大得多;而航天、潜艇、军用开关电源以及用电池的便携式电子设备(如手提计算机、移动电话等)更需要小型化、轻量化的电源。因此,对开关电源提出了小型轻量要求,包括磁性元件和电容的体积重量也要小。此外,还要求开关电源效率要更高,性能更好,可靠性更高等。这一切高新要求便促进了开关电源的不断发展和进步。
1 开关电源的三个重要发展阶段
40多年来,开关电源经历了
三个重要发展阶段。
第一个阶段是功率半导体器件从双极型器件(bpt、scr、gt0)发展为mos型器件(功率mos-fet、igbt、igct等),使电力电子系统有可能实现高频化,并大幅度降低导通损耗,电路也更为简单。
第二个阶段自20世纪80年代开始,高频化和软开关技术的研究开发,使功率变换器性能更好、重量更轻、尺寸更小。高频化和软开关技术是过去20年国际电力电子界研究的热点之一。
第三个阶段从20世纪90年代中期开始,集成电力电子系统和集成电力电子模块(ipem)技术开始发展,它是当今国际电力电子界亟待解决的新问题之一。
2 开关电源技术的亮点
2.1 功率半导体器件性能
1998年,infineon公司推出冷mos管,它采用“超级结”(super-junction)结构,故又称超结功率mosfet。工作电压600~800v,通态电阻几乎降低了一个数量级,仍保持开关速度快的特点,是一种有发展前途的高频功率半导体器件。
igbt刚出现时,电压、电流额定值只有600v、25a。很长一段时间内,耐压水平限于1200~1700v,经过长时间的探索研究和改进,现在 igbt的电压、电流额定值已分别达到3300v/1200a和4500v/1800a,高压igbt单片耐压已达到6500v,一般igbt的工作频率上限为20~40khz,基于穿通(pt)型结构应用新技术制造的igbt,可工作于150khz(硬开关)和300khz(软开关)。
igbt的技术进展实际上是通态压降,快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同,igbt在20年的发展进程中,有以下几种类型:穿通(pt)型、非穿通(npt)型、软穿通(spt)型、沟漕型和电场截止(fs)型。
碳化硅(sic)是功率半导体器件晶片的理想材料,其优点是禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、pn结耐压高等,有利于制造出耐高温的高频大功率半导体器件。
可以预见,碳化硅将是21世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料。
2.2 开关电源功率密度
提高开关电源的功率密度,使之小型化、轻量化,是人们不断追求的目标。这对便携式电子设备(如移动电话,数字相机等)尤为重要。使开关电源小型化的具体办法有以下几种。
一是高频化。为了实现电源高功率密度,必须提高pwm变换器的工作频率、从而减小电路中储能元件的体积重量。
二是应用压电变压器。应用压电变压器可使高频功率变换器实现轻、小、薄和高功率密度。压电变压器利用压电陶瓷材料特有的“电压-振动”变换和“振动-电压”变换的性质传送能量,其等效电路如同一个串并联谐振电路,是功率变换领域的研究热点之一。
三是采用新型电容器。为了减小电力电子设备的体积和重量,须设法改进电容器的性能,提高能量密度,并研究开发适合于电力电子及电源系统用的新型电容器,要求电容量大、等效串联电阻(esr)小、体积小等。
2.3 高频磁性元件
电源系统中应用大量磁元件,高频磁元件的材料、结构和性能都不同于工频磁元件,有许多问题需要研究。对高频磁元件所用的磁性材料,要求其损耗小、散热性能好、磁性能优越。适用于兆赫级频率的磁性材料为人们所关注,纳米结晶软磁材料也已开发应用。
2.4 软开关技术
高频化以后,为了提高开关电源的效率,必须开发和应用软开关技术。它是过去几十年国际电源界的一个研究热点。
pwm开关电源按硬开关模式工作(开/关过程中电压下降/上升和电流上升/下降波形有交叠),因而开关损耗大。高频化虽可以缩小体积重量,但开关损耗却更大了。为此,必须研究开关
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