nec电子(欧洲)宣布推出新型低电压电源管理器件(pmd)。该系列产品的推出使p沟道np系列产品可覆盖-15a至-100a的漏极电流。

　　该系列产品采用普通的to-252(dpak)和to-263(d2pak)贴片封装。产品包含2种额定漏源电压(-40v和-60v)及可由逻辑门驱动产品。在dpak封装系列中，低漏极电流器件(id(dc) < 50a)中的导通电阻(rds(on))为9.6mohm(np50p04sdg)至75mohm(np15p06slg)。而在d2pak封装系列中，额定漏极电流为-100a的器件的导通电阻(rds(on))则降至3.7mohm。

　　能实现p-沟道功率mosfets超低导通阻抗(rds(on))值主要是因为采用了umos-4工艺。该工艺采用0.25um的设计规则，将单元密度提高到了160mcells/inch2,同时降低了单位面积的导通电阻(rds(on))。和np系列的其他产品一样，新产品按照aec-q101流程制造，额定温度为175℃，纯锡电镀管脚完全符合rohs要求。雪崩能量从19mj(np15p06slg)至550mj(np100p04plg)，因芯片不同而有所差异。

　　这一系列低导通电阻器件符合p-沟道器件在汽车电子应用中日益增长的需求。在电池反接保护、h桥直流电机驱动等标准应用中，p-沟道功率mosfets与n-沟道器件相比具有明显的优势。