飞思卡尔半导体公司为适用于时分同步码分多址(td-scdma)无线基站推出高功率多级射频功率ldmos fet。
td-scdma标准是第三代无线接入方法，这种标准有望在中国广泛采用。飞思卡尔是第一家专门针对新兴的标准提供商用射频集成电路(rfic)的公司。新近优化的飞思卡尔mw6ic2240nb的高输出水平使oem能够把部件数量从以前的2-3个设备减少到一个，不但节约了电路板空间，而且降低了功率消耗和成本。

　　旗舰型mw6ic2240nb是一个ldmos双级rfic。当用于28 v的最终放大器应用上时，在输出功率为35 dbm的 2010 mhz 到2025 mhz的频率范围内，能够提供28 db的增益、-47 dbc的alt1 和-49 dbc 的alt2 （6载波td-scdma信号）。mw6ic2240nb的操作电压是26至32伏，具有集成的静态电流温度补偿功能，采用to-272超模压的、经济高效的塑料封装。

　　通过在一个rfic封装内结合多个增益级， mw6ic2240nb可以极大地降低oem的设计复杂性、部件数量、系统尺寸和物料单。

更多多载波应用的功率放大器
　　除mw6ic2240nb外，飞思卡尔还推出了另外6款非常适合于多载波应用（如cdma、w-cdma和 td-scdma）的ldmos 和 mosfet功率放大器。他们运行在2010至2170mhz的频率范围内，这些设备是：

　　mhv5ic2215n: 双级ldmos驱动放大器，具有23 dbm的输出功率、 27.5 db的增益、49 dbc的alt1和-50 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。.

　　mrf6s21060n: n信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、15.5 db的增益、-48 dbc的alt1和-49 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号).

　　mrf6s21100n: n信道、增强模式横向功率mosfet，具有35 dbm的输出功率、14.5 db的增益、-49 dbc的alt1和-51 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号).

　　mrf6s21100h: n个信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、16 db的增益、-51 dbc的alt1和-53 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。

　　mw6ic2015nb: 双级ldmos驱动放大器，具有25 dbm的输出功率，27 db的增益、-50 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。

　　mrf7s19080h: n信道、增强模式横向功率 mosfet，具有35 dbm的输出功率、18 db的增益, -51 dbc的alt1和-52 dbc的alt2 (6个载波的td-scdma信号)。

　　所有设备都符合rohs标准，具有内部匹配的输入和输出，可用于磁带和卷轴。它们运行在26至32伏的偏置电压。除了mrf6s21100h和 mrf7s19080h外，所有其他设备都采用飞思卡尔超模压塑料封装，温度范围为200度。

供货情况
　　mw6ic2240nb、mrf7s19080h、mhv5ic2215n、mrf6s21060n、mrf6s21100n、mrf6s21100h 和mw6ic2015nb现均已批量生产并已上市。