据rfmd公司新闻报道，日前，设计与制造高性能射频系统与解决方案的全球领先者rf micro devices(rfmd)宣布推出专有微机电系统(mems)——面向 rf及其他应用的技术。rfmd期望其专有的mems技术将在rf及其他应用中实现突破性的性能及空前水平的功能整合。rfmd是开发面向低成本整合rf应用的mems技术的先驱者，公司自2004年起便已开始积极进行mems技术的商业化。rfmd期望其专有的mems技术将在rf及其他应用中实现突破性的性能及空前水平的功能整合。

　　rfmd推出的第一批rf mems器件将是面向3g多模手机的rf mems发送接收开关及rf mems模式开关。通过极大减小产品占位面积并提高效率，从而延长手机通话时间，rfmd的mems 开关技术将有助于加速3g部署。当与面向前端解决方案(gaas、soi及硅)的rfmd业界领先工艺技术相结合时，rfmd的rf mems开关技术将树立低成本、小尺寸及超高性能前端的新标准。

　　rfmd的mems开关还将在功率放大器 (pa) 的输出电路中使用，以创建可调谐的pa，公司预计这将实现真正自适应的收发器解决方案。

　　rfmd研发副总裁victor steel指出：“rfmd专有mems技术的商业化以及我们200mm mems研发制造厂的建设强调了 rfmd不断致力于通过一流的创新实现产品领先地位。rfmd是唯一能够将混合信号cmos、功率管理、功率放大器、rf开关及rf mems结合在低成本晶圆级封装的单片解决方案中的公司。随着我们业界领先mems功能的商业化，我们将能够进一步提供可预计并超出我们客户日益增长的rf需求的高整合度rf解决方案。”

　　加州大学圣地亚哥分校教授gabriel m. rebeiz强调：“现有rf mems开关技术基于小制造批次及晶圆到晶圆封装技术，这最终会增加器件成本。rfmd方法及其硅片上的高整合度针锋相对地解决了这一问题，并最终将提高产量及性能以及极大降低成本。”

　　rfmd的rf mems开关为高功率欧姆接触式mems开关，它们是rf cmos soi晶圆上后处理的ic，密封在晶圆级封装 (wlp) 电介质圆顶中。使rf mems开关运行所需的所有必要电路均被集成到了基本cmos中，包括可靠接通功率 mems开关所需的大电压及控制信号的产生。rf mems开关完全支持 rfmd 苛刻的蜂窝rf功率模块要求，包括低插损及高隔离(典型0.2db35db @ 1.9ghz)以及高谐波抑制(典型90dbc)，同时还符合严格的可靠性及设计与生产成本要求。

　　除 rf mems 开关外，rfmd 还正在积极推动其他mems 器件的商业化，例如rf mems滤波器、rf mems共鸣器(晶体替代器件)及 mems传感器。公司期望其mems技术连同其在高性能射频系统中的现有核心能力将最终实现能够适应任何无线协议–蜂窝或非蜂窝–的单片前端及软件定义无线电。

　rfmd 将构建200mm研发晶圆制造厂以支持其不断的mems开发。该mems研发制造厂将与rfmd gan 研发机构共同位于北卡罗莱纳mooresville的新工厂中。