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飞思卡尔发布基于高压射频功率技术的ISM设备

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:550

  飞思卡尔宣布采用新开发的高压射频功率技术,结合经济高效的创新超模压塑料封装,将其射频功率解决方案扩展至工业、科学和医疗(ism)市场。新推出的专为hf/vhf频率间隔(10-450 mhz)和2.45 ghz ism频带设计的晶体管,将飞思卡尔在技术和封装方面的领导地位延伸到ism市场。

  50v vhv6 rf ldmos技术(第6代高电压射频横向扩散金属氧化物半导体)的开发促成了飞思卡尔的此次扩展。该技术在飞思卡尔广为接受的28v ldmos技术基础上将工作电压提高到50v,让设计者能够实现更高的功率,超过当前ism市场上的产品的性能水平。此外,该设备还采用了超模压塑料封装,从而提供了最经济高效的ism解决方案。

  飞思卡尔提供的ism旗舰产品为mrf6v2300nb,它是功率为300w的50v ldmos晶体管,其工作频率为450 mhz,采用to-272-wb-4超模压塑料封装制造。该设备能够产生27db的可观增益,效率高达68%。凭借该产品的这种出色性能,ism系统的设计者可以消除增益级(gain stages),从而降低总系统成本,减少占用板卡面积。除了出类拔萃的性能以外,该设备还具有极高的稳定性,其耐用容错性能达到10:1 vswr。

六款针对ism的创新产品

  飞思卡尔正在扩展其产品到两个不同的ism频率市场:hf/vhf市场和2.45 ghz的ism频带市场。为了达到10-450 mhz的hf/vhf频率间隔要求,飞思卡尔提供了三种采用vhv6 50v ldmos技术的晶体管。这些晶体管包括旗舰产品mrf6v2300nb、mrf6v2150nb(功率150w,效率69%, 增益25db)及mrf6v2010nb(功率10w,效率68%,增益25db)。对于2.45 ghz的ism频带,飞思卡尔提供三种使用28v ldmos技术的设备:mrf6p24190h(功率190w,效率46%,增益13db)、mrf6s24190h(功率140w,效率46%,增益13db)和mw6ic2420nb(二级20w,效率21%,增益21db)。

产品供货信息
  上述所有六种ism设备现在已经提供样品。



  飞思卡尔宣布采用新开发的高压射频功率技术,结合经济高效的创新超模压塑料封装,将其射频功率解决方案扩展至工业、科学和医疗(ism)市场。新推出的专为hf/vhf频率间隔(10-450 mhz)和2.45 ghz ism频带设计的晶体管,将飞思卡尔在技术和封装方面的领导地位延伸到ism市场。

  50v vhv6 rf ldmos技术(第6代高电压射频横向扩散金属氧化物半导体)的开发促成了飞思卡尔的此次扩展。该技术在飞思卡尔广为接受的28v ldmos技术基础上将工作电压提高到50v,让设计者能够实现更高的功率,超过当前ism市场上的产品的性能水平。此外,该设备还采用了超模压塑料封装,从而提供了最经济高效的ism解决方案。

  飞思卡尔提供的ism旗舰产品为mrf6v2300nb,它是功率为300w的50v ldmos晶体管,其工作频率为450 mhz,采用to-272-wb-4超模压塑料封装制造。该设备能够产生27db的可观增益,效率高达68%。凭借该产品的这种出色性能,ism系统的设计者可以消除增益级(gain stages),从而降低总系统成本,减少占用板卡面积。除了出类拔萃的性能以外,该设备还具有极高的稳定性,其耐用容错性能达到10:1 vswr。

六款针对ism的创新产品

  飞思卡尔正在扩展其产品到两个不同的ism频率市场:hf/vhf市场和2.45 ghz的ism频带市场。为了达到10-450 mhz的hf/vhf频率间隔要求,飞思卡尔提供了三种采用vhv6 50v ldmos技术的晶体管。这些晶体管包括旗舰产品mrf6v2300nb、mrf6v2150nb(功率150w,效率69%, 增益25db)及mrf6v2010nb(功率10w,效率68%,增益25db)。对于2.45 ghz的ism频带,飞思卡尔提供三种使用28v ldmos技术的设备:mrf6p24190h(功率190w,效率46%,增益13db)、mrf6s24190h(功率140w,效率46%,增益13db)和mw6ic2420nb(二级20w,效率21%,增益21db)。

产品供货信息
  上述所有六种ism设备现在已经提供样品。



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