freescale采用它的第七代高压(hv7) rf ldmos技术,推出工作在3.5ghz波段的wimax基站的rf功率晶体管.这是第一个采用这种技术(rf ldcmos)制造的功率晶体管,其它制造商从未解决过这样的问题.

　　freescale已能提供12v gaas phemt系列产品,继续开发高压gaas phemt技术,它能制造更高功率的gaas器件,用在wimax系统设计以及在2ghz和6ghz间的其它应用.

　　通过提供rf ldmos和gaasphemt的功率晶体管,freescale rf 解决方案支持任何大功率无线基础设备的应用:ldmos性能高达3.8ghz,gaas phemt性能高达6ghz.

　　wimax:严格的要求

　　wimax系统采用64qam ofdm信号.qam ofdm信令对于功率放大器设计者带来一些独特的挑战.在功率回退的rf功率晶体管线性是至关重要的,不仅在有掩模要害的广谱形式,而且在误差向量幅度(evm)要求.在此之前,硅ldmos技术在3.5ghz并不提供可接收的rf功率性能.这就意味着化合物半导体器件如gaas phemt是唯一可用的设计器件.freescale先进的3.5ghz hv7 ldmos器件提供wimax系统所需的效率,线性度和evm性能,为设计者在化合物半导体和硅ldmos器件间提供了选择.

　　现在可提供3.5ghz ldmos的最初器件样品. mrf7s38075h是具有75w p1db的rf晶体管,平均功率42dbm(16w),满足3.5ghz波段wimax性能要求.此外,40w和10w p1db 3.5ghz器件将在2006年第二季度推出.这三种ldmos器件目标用在2.3ghz,2.5ghz 和3.5ghz 新兴wimax/wibro波段.

　　先进的hv7 ldmos器件补充了用在3.5ghz wimax的12v gaas phemt器件,正在开发的新型高压gaas器件将工作在6ghz.这使它们非常适合用在这个频率范围的wimax和其它无线应用.工作电压超过20v,gaas器件将会费获得高达100w的功率而依然能满足数字调制系统的严格要求.