3500W与6000W高档开关电源的剖析(1)
发布时间:2008/5/26 0:00:00 访问次数:573
    
    
    作者]:刘胜利
    
    摘要:剖析了直流输出48v/70a与350v/10a两种3500w和48v/112a与350v/17a两种6000w高档开关电源的电路设计与元器件应用特点,并提出了有待继续分析的问题。
    关键词:功率因数校正;buckboost变换器;分段式控制
    1 引言
    在2001年7月,有位电源技术爱好者送来了两种据称是“军用绝密级”的高档电源各2台,希望我能作专题解剖,深入分析,以消化吸收其先进技术。
    该电源铁壳上的铭牌标明,是ibm公司的“bulk”大型舰船专用电源。
    一种是直流输出48v/70a的长型通信电源,长×宽×高=70cm×22cm×12cm,重量约14kg。电网输入三相380~415v(电流13a),也可降低输入200~240v(电流24a),频率50~60hz。这种电源装有电风扇强迫风冷,还在外壳上安装了一只三相高压大开关。电网输入先经大屏蔽盒滤波。
    另一种是直流输出350v/10a的短型特种电源,长×宽×高=40cm×30cm×8cm,重约10kg,无强迫风冷,散热器也较短。其铁壳上铭牌标明为电网三相输入,有三种输入范围:200~240v、380~415v、460~480v。低电压时iin=25a(max);其输出直流为350v/12.5a(max)。电网频率50~60hz。
    2 3500w电源解剖
    解剖工作第一步是拆焊两种(两台)电源主板上的大功率元器件,共有三类:
    1)最重的大号磁性组件主功率变压器和boost储能电感器,铁粉芯磁环电感5只;
    2)大号mosfet、igbt功率开关管模块,和两只电网整流器模块p425等;
    3)大号高压铝电解电容器940μf/450v4只,220μf/450v2只,以及多个cbb高频、高压、无感、无极性聚丙烯大电容器,都是优质的突波吸收元件。
    2.1 ir公司的功率器件
    首先,让我意外新奇的是:均为ir公司商标的mosfet、igbt大模块,其产品型号标记居然都被假代号替换,它们在ir公司厚本产品手册上均查不到。
    1)侧壁贴出一个igbt内接一只二极管的模块,标号为“f530(9604)”、“f826(9615)”、“f1670(9726)”、“f4702(9845)”等。
    2)从电路判断是一个mosfet内含一只二极管的模块,标号为“m4005(6315)”、“m4427(9624)”、“m3422(9611)”等。
    3)从电路判断是二只mosfet(半桥双管)的模块,标号为“m5220(9708)”、“m5662(9726)”、“m3419(9603)”、“m6768(9814)”等。
    在市场上从未见过这种特殊外壳,每只重近100g的mosfet大模块。每台电源用4只,其散热顶层的铜块厚达6mm,长×宽=9.2cm×2cm。48v电源有炸裂。
    4)pfc控制板上的主芯片标记为“53h1747”,4台电源均同,本应是uc3854。
    我先把拆焊下来的ir公司产品mosfet和igbt共8~9只,带到ir深圳分公司找技术员询问和鉴定,回答是“军用绝密级”产品,非工业民品,故手册上无。按3500w电源分析,该mosfet反向耐压应在500v~600v,工作电流在30a~40a。由于ir代理商确认了这两种大功率电源主板上使用的大号高频开关管,是为军用装备特制的高档产品,为了保密才改用假代号。因此,值得下功夫认真细致地对两种3500w电源作深入解剖、全面测量、专题分析。随后我又几次在供货商处查看多台开盖电源主板上的mosfet、igbt模块侧壁商标,并详细记录主要符号,才发现ir公司设在墨西哥(madeinmexico)厂地的特制mosfet,暗藏了下述重要标记:
    ——凡是在最下层标上“82-5039+”者,不论假代号怎么变,均为半桥双管mosfet,如“m7471(9846)”、“m3937(9613)”、“m3438(9602)”、“m5706(9732)”、“m3467(9602)”;
    ——凡是最下层标记为“82-6252+”者,不论假代号如何换,均为单管mosfet加一只二极管,如“m7453(9845)”、“m4045(9616)”、“m3721(9609)”、“m5394(9714)”、“m3161(9547)”、“m3453(9602)”等。
    2.2 ec公司的电容器
    电源上使用的ec公司ccb高压无极性电容器,其工艺之精致,市场上难见到。
    1)每台电源用3只大号长园柱形cbb-2.5μf/dc850v,h×d=6cm×2.4cm;
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    作者]:刘胜利
    
    摘要:剖析了直流输出48v/70a与350v/10a两种3500w和48v/112a与350v/17a两种6000w高档开关电源的电路设计与元器件应用特点,并提出了有待继续分析的问题。
    关键词:功率因数校正;buckboost变换器;分段式控制
    1 引言
    在2001年7月,有位电源技术爱好者送来了两种据称是“军用绝密级”的高档电源各2台,希望我能作专题解剖,深入分析,以消化吸收其先进技术。
    该电源铁壳上的铭牌标明,是ibm公司的“bulk”大型舰船专用电源。
    一种是直流输出48v/70a的长型通信电源,长×宽×高=70cm×22cm×12cm,重量约14kg。电网输入三相380~415v(电流13a),也可降低输入200~240v(电流24a),频率50~60hz。这种电源装有电风扇强迫风冷,还在外壳上安装了一只三相高压大开关。电网输入先经大屏蔽盒滤波。
    另一种是直流输出350v/10a的短型特种电源,长×宽×高=40cm×30cm×8cm,重约10kg,无强迫风冷,散热器也较短。其铁壳上铭牌标明为电网三相输入,有三种输入范围:200~240v、380~415v、460~480v。低电压时iin=25a(max);其输出直流为350v/12.5a(max)。电网频率50~60hz。
    2 3500w电源解剖
    解剖工作第一步是拆焊两种(两台)电源主板上的大功率元器件,共有三类:
    1)最重的大号磁性组件主功率变压器和boost储能电感器,铁粉芯磁环电感5只;
    2)大号mosfet、igbt功率开关管模块,和两只电网整流器模块p425等;
    3)大号高压铝电解电容器940μf/450v4只,220μf/450v2只,以及多个cbb高频、高压、无感、无极性聚丙烯大电容器,都是优质的突波吸收元件。
    2.1 ir公司的功率器件
    首先,让我意外新奇的是:均为ir公司商标的mosfet、igbt大模块,其产品型号标记居然都被假代号替换,它们在ir公司厚本产品手册上均查不到。
    1)侧壁贴出一个igbt内接一只二极管的模块,标号为“f530(9604)”、“f826(9615)”、“f1670(9726)”、“f4702(9845)”等。
    2)从电路判断是一个mosfet内含一只二极管的模块,标号为“m4005(6315)”、“m4427(9624)”、“m3422(9611)”等。
    3)从电路判断是二只mosfet(半桥双管)的模块,标号为“m5220(9708)”、“m5662(9726)”、“m3419(9603)”、“m6768(9814)”等。
    在市场上从未见过这种特殊外壳,每只重近100g的mosfet大模块。每台电源用4只,其散热顶层的铜块厚达6mm,长×宽=9.2cm×2cm。48v电源有炸裂。
    4)pfc控制板上的主芯片标记为“53h1747”,4台电源均同,本应是uc3854。
    我先把拆焊下来的ir公司产品mosfet和igbt共8~9只,带到ir深圳分公司找技术员询问和鉴定,回答是“军用绝密级”产品,非工业民品,故手册上无。按3500w电源分析,该mosfet反向耐压应在500v~600v,工作电流在30a~40a。由于ir代理商确认了这两种大功率电源主板上使用的大号高频开关管,是为军用装备特制的高档产品,为了保密才改用假代号。因此,值得下功夫认真细致地对两种3500w电源作深入解剖、全面测量、专题分析。随后我又几次在供货商处查看多台开盖电源主板上的mosfet、igbt模块侧壁商标,并详细记录主要符号,才发现ir公司设在墨西哥(madeinmexico)厂地的特制mosfet,暗藏了下述重要标记:
    ——凡是在最下层标上“82-5039+”者,不论假代号怎么变,均为半桥双管mosfet,如“m7471(9846)”、“m3937(9613)”、“m3438(9602)”、“m5706(9732)”、“m3467(9602)”;
    ——凡是最下层标记为“82-6252+”者,不论假代号如何换,均为单管mosfet加一只二极管,如“m7453(9845)”、“m4045(9616)”、“m3721(9609)”、“m5394(9714)”、“m3161(9547)”、“m3453(9602)”等。
    2.2 ec公司的电容器
    电源上使用的ec公司ccb高压无极性电容器,其工艺之精致,市场上难见到。
    1)每台电源用3只大号长园柱形cbb-2.5μf/dc850v,h×d=6cm×2.4cm;
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