PZT751T1G的技术参数
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:256
产品型号:pzt751t1g
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):60
集电极最大电流ic(max)(ma):2000
直流电流增益hfe最小值(db):75
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):75
封装/温度(℃):sot-223/-55 to+150
价格/1片(套):￥.99
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):60
集电极最大电流ic(max)(ma):2000
直流电流增益hfe最小值(db):75
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):75
封装/温度(℃):sot-223/-55 to+150
价格/1片(套):￥.99
产品型号:pzt751t1g
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):60
集电极最大电流ic(max)(ma):2000
直流电流增益hfe最小值(db):75
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):75
封装/温度(℃):sot-223/-55 to+150
价格/1片(套):￥.99
类型:pnp
集电极－发射集最小雪崩电压vceo(v):60
集电极最大电流ic(max)(ma):2000
直流电流增益hfe最小值(db):75
直流电流增益hfe最大值(db):－
最小电流增益带宽乘积ft(mhz):75
封装/温度(℃):sot-223/-55 to+150
价格/1片(套):￥.99
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