将cmos工艺应用于模拟电路和rf电路的尝试在业界日趋活跃，其目标之一就是要实现将模拟/rf电路与数字电路一起集成于单芯片的soc上。不过，最近越来越多的人表示："也不一定非要做soc，sip(系统级封装)也是一种不错的选择。"葡萄牙chipidea microelectronica公司总裁、董事长兼ceo jose epifanio da franca便持有这种观点。sip过去主要采用将小容量内存和数字ic配置于单封装中的手法，预计今后将会出现集成模拟ic的动向。

　　chipidea公司是一家面向soc模拟电路和模拟-数字混载电路的模拟ip内核供应商。franca指出：“cmos模拟ic目前通过采用180nm工艺制造技术，扩展了其应用范围。130nm工艺制造技术也已经得到部分应用。但越来越清楚的是，更高级的90nm工艺其应用难度相当高。不仅性能很难提升，而且普通企业越来越难以实现。原因在于电源电压不断降低，噪音影响越来越大。成品率也在不断恶化。”

　　另外，作为模拟电路来说，即使进一步提高制造技术，芯片面积也无法像数字电路那样大幅缩小。也就是说，工艺技术的提高很难产生什么优点。这样一来，继续使用过去曾经使用过的、利用180nm工艺设计的模拟电路则更为有利。他表示，chipidea公司正在推广面向soc模拟-数字混合电路的模拟ip内核。但目前已经决定投产面向sip的模拟ic。今后将同时推进模拟ic和模拟ip内核两项业务。

　　chipidea公司目前提供2种芯片。一是在单芯片中集成了便携产品使用的大部分模拟电路的ic"msc-2.0"。集成了电荷泵、ldo、dc-dc转换等电源电路，以及串口和usb等接口电路，还有温度控制与pll等外部电路等。另一种面向无线设备的通用模拟基带ic。适用于dvb-t/h、gps、w-cdma和ieee802.11a/b/g等各种无线方式。

　　目前在gsm手机用lsi方面，美国德州仪器和德国英飞凌科技正在推进在单芯片中集成rf电路和基带处理电路的方法。对此，franca表示：“在手机领域，单芯片产品确实已经达到实用水平。但各公司目前主要面向低价产品市场。因为单芯片无法充分提升性能。在智能手机等高性能产品市场上，很可能会选择sip。”

　　他继续说道，在民用产品市场绝大部分将会使用cmos技术。尽管如此，双极cmos技术和化合物半导体并不会因此消失。在高速接口电路、高耐压电路以及要求高驱动性能的接口电路方面，将会继续使用双极cmos等技术。