瑞萨科技公司(renesas technology corp.)又推采用56引脚qfn封装，集成了一个驱动器ic和两个高端/低端功率mosfet的r2j20602np，可用于pc、服务器等产品的cpu稳压器(vr)。

　　r2j20602np符合英特尔公司提议的“集成驱动器mosfet(drmos)”封装标准(以下称作“drmos”)。它集成了一个驱动器ic和两个高端/低端开关电源mosfet。r2j20602np是瑞萨科技继第一代的r2j20601np支后开发的第二代drmos标准兼容产品，也是在工艺和封装结构方面进行了改进的更高性能的第二代产品。

　　r2j20602np的特性：

　　40a的最大输出电流

　　40a的最大输出电流——代表了业界的最高性能——采用瑞萨科技的高性能功率mosfet技术、新开发的高辐射/低损耗封装，以及专为功率mosfet性能而优化的高速驱动器ic。这些技术支持需要大电流的cpu、fpga和存储器等电子元件。

　　与当前的瑞萨产品相比，功率损耗降低20%以上

　　当工作在1mhz开关频率时，其大约为89%的最高效率实现了业界最高水平(vin = 12v，vout = 1.3v)。其输出电流为25a，功率损耗为4.4w——业界的最低水平——比瑞萨当前的r2j20601np低至少20%。使用r2j20602np有助于实现高效的电源配置，并抑制散热量，从而开发出一个节能的最终产品。

　　小型封装与第一代产品引脚安排兼容

　　其封装与瑞萨当前的r2j20601np引脚安排兼容。8mm×8 mm×0.95mm的小型56引脚qfn封装适用于高速交换，有助于使用更小的外部电感器和电容器等无源元件，并可减少元件数量。这将使vr变得更小。

　　其他产品细节

　　r2j20602np单封装设计有助于大幅度降低器件之间的布线寄生电感，使r2j20602np适用于高频操作。瑞萨科技用在这个产品中的最新功率mosfet可提供业界最高的性能。低端mosfet集成了肖特基势垒二极管，可以减少开关损耗，驱动器ic专门用来优化mosfet的通/断控制。

　　该封装采用无铅高辐射类型小安装面积封装，符合英特尔公司提出的drmos封装标准。最小的封装尺寸为8mm×8 mm×0.95mm，0.5mm引脚间距，封装内采用的是无线铜板构造(copper plate construction)内部连接，可大幅度降低阻抗。占用了封装背面大部分表面的引脚可以增加电流路径，有助于处理电流和散热问题。

　　新型r2j20602np第二代drmos兼容产品是专门为12v输入的低电压输出应用优化的，例如，在f=1mhz，vin=12v，和vout=1.3v的条件下，可实现业界约89%的最高效率水平。高速运行可使外部无源元件更小，元件数量更少，从而减小电源的尺寸。

　　典型应用：

　　台式电脑、服务器等的cpu的vr

　　高性能gpu(图形处理单元)和大电流dsp的dc-dc转换器

　　通信等pol(负载点)转换器

　　r2j20602np的样品供货将从2006年12月在日本开始，样品价格(包括税金)为735日元。