RFMD宣布推出两款最新的射频开关RF1200和RF1450..

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:397

rfmd近日宣布在美国加利福尼亚举行的ieee radio and wireless conference(ieee射频无线会议)上展出其最新的两款射频开关——rf1200和rf1450。此次ieee射频无线会议于元月9~11日举行。

rf1200和rf1450利用rfmd业界领先的gaas生产工艺生产，并将进一步推进用于rfmd传送模块中的开关技术的发展。这些高性能开关有助于推出适用于多模gsm/wcdma蜂窝手机、天线调谐器、ieee802.11a/b/g wlan和蜂窝基础设施等的前端器件。

rf1200为一款单刀双掷(spdt)大功率开关，可满足wcdma产品的所有线性要求，具有插入损耗低、控制电压低、杂散特性好等优点。rf1200采用0.5μm gaas phemt工艺制成，采用2×2mm的无铅qfn封装，共有6个引脚。

rf1450为一款单刀四掷(sp4t)大功率开关，设计用于多模wcdma产品，可提供极佳的线性性能。rf1450内含集成解码逻辑，仅需两路控制线便可实现开关控制。rf1450采用紧凑的3×3×0.6mm的无铅qfn封装，共有16个引脚。

rf1200具有以下特点：

- 插入损耗低，0.35db@1ghz

- 隔离性能好，25db@2.2 ghz

- 控制电压低，2.6v至5.0v

- 杂散波：-80dbc@1ghz

- 采用gaas phemt工艺生产

rf1450具有以下特点：

- 插入损耗低，最大仅为0.60db

- 隔离性能好，15db@2.2ghz

- 控制电压低，2.6v至5.0v

- 杂散波：-75dbc@1ghz

- 采用gaas phemt工艺生产

rf1200具有以下特点：

- 插入损耗低，0.35db@1ghz

- 隔离性能好，25db@2.2 ghz

- 控制电压低，2.6v至5.0v

- 杂散波：-80dbc@1ghz

- 采用gaas phemt工艺生产

rf1450具有以下特点：

- 插入损耗低，最大仅为0.60db

- 隔离性能好，15db@2.2ghz

- 控制电压低，2.6v至5.0v

- 杂散波：-75dbc@1ghz

- 采用gaas phemt工艺生产

相关技术资料: 5-222300V同等半导体功率模块适用于储能系统及风电和光伏可再生能源应用; 5-2264个DALI驱动器-确保平滑调光和更好的操作不同的色彩效果; 5-22隔离NTC读取功能降低逆变器系统硬件设计复杂性省去多个电缆; 5-22开漏电源正常信号以指示输出是否在其标称电压范围之内; 5-22半导体激光器将朝着更高功率更优光束质量更低能耗的方向发展; 5-22在54V典型输入电压下可以提供高达800w的连续输出功率; 5-22内部1.5ms定时器控制通过在TRK/REF添加一个电容提高斜坡率; 5-22多量子阱或量子线等尖端结构提高激光器输出功率和光束质量; 5-22电源条件严苛在低电压输出条件下确保±5%以内稳定运行高端ADAS应用; 5-22漏源导通电阻×栅漏电荷降低大约80%导通损耗与开关损耗间关系; 5-22IGBT并联运行时带来稳定性从而显著改善模块的性能与安全性; 5-21减少了电流应用中阻抗变化元件在高达125℃温度下保证性能