新日本无线已研发成功适用于采用cmos rf ic的800mhz cdma手机的带有旁通电路的低噪声放大器gaas mmic njg1127hb6，并开始样品供货。

　　利用cmos技术实现高频rf电路的cmos rf ic很难内置低噪声放大器，所以需要高性能的低噪声放大器(lna: low noise amplifier)。 njg1127hb6正是为了满足这样的要求而开发的，主要用于800mhz的cdma手机的设有旁通电路的低噪声放大器。

　　njg1127hb6由低噪声放大器、旁通电路、控制用逻辑电路等构成，实现了iip3=+8dbm min. @ f=880mhz(高增益模式时)的低失真特性，便于信号接收电路的设计。

　　此外，因为强电场输入时不需要使用放大器对rf信号进行增幅，njg1127hb6在内置不通过低噪声放大器的旁通电路的同时，使内置低噪声放大器处于待机状态，实现了低消耗电流(低增益模式)。电场输入处于通常状态时，通过内置低噪声放大器对rf信号进行增幅(高增益模式)。

　　对上述高、低增益模式的切换，利用微处理器，可通过控制逻辑电路以1比特控制信号进行切换．

　　　　投产后预定月产量为50万只。样品价格为50日元。