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新日本无线配备旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:365

  新日本无线已研发成功njg1128hb6,并开始样品供货。njg1128hb6是配备旁通电路的低噪声放大器gaas mmic ,最适用于450mhz频带cdma手机。

  采用cmos技术实现高频电路的cmos rf ic很难内置低噪声放大器,因而需要外置高性能的低噪声放大器。 而njg1128hb6则能够解决上述问题。这款低噪声放大器配备有旁通电路,主要用于450mhz频带cdma手机。

  njg1128hb6由低噪声放大器、旁通电路和控制用逻辑电路构成,实现了iip3=+8dbm min. @ 460-470mhz(高增益模式时)的低失真特性,简化了信号接收电路的设计。

  当电场输入处于正常状态时,通过内置低噪声放大器对rf信号进行增幅(高增益模式)。当处于强电场输入状态时,由于无需对信号进行增幅,因此njg1128hb6还内置有不通过低噪声放大器的旁通电路,使低噪声放大器在此时处于待机状态,从而实现了低消耗电流(低增益模式)。

  上述高、低增益模式的切换,可通过控制逻辑电路以1比特控制信号得以实现,利用微处理器即可进行控制。

  njg1128hb6具有以下特征,适用于450mhz频带cdma手机的低噪声放大器:

  ①采用hj fet工艺,实现了高线性特性。

  iip3=+8dbm(min.) @ 高增益模式时 / iip3=+15dbm(min.) @ 低增益模式时

  ②低增益模式时实现了15μa(typ.)的低消耗电流。

  ③内置控制用逻辑电路,便于进行模式切换(控制电压"high"=高增益模式)

  2007年4月开始发放njg1128hb6样品,6月开始正式投入生产,投产后预定月产量为30万只。样品价格为50日元。





  新日本无线已研发成功njg1128hb6,并开始样品供货。njg1128hb6是配备旁通电路的低噪声放大器gaas mmic ,最适用于450mhz频带cdma手机。

  采用cmos技术实现高频电路的cmos rf ic很难内置低噪声放大器,因而需要外置高性能的低噪声放大器。 而njg1128hb6则能够解决上述问题。这款低噪声放大器配备有旁通电路,主要用于450mhz频带cdma手机。

  njg1128hb6由低噪声放大器、旁通电路和控制用逻辑电路构成,实现了iip3=+8dbm min. @ 460-470mhz(高增益模式时)的低失真特性,简化了信号接收电路的设计。

  当电场输入处于正常状态时,通过内置低噪声放大器对rf信号进行增幅(高增益模式)。当处于强电场输入状态时,由于无需对信号进行增幅,因此njg1128hb6还内置有不通过低噪声放大器的旁通电路,使低噪声放大器在此时处于待机状态,从而实现了低消耗电流(低增益模式)。

  上述高、低增益模式的切换,可通过控制逻辑电路以1比特控制信号得以实现,利用微处理器即可进行控制。

  njg1128hb6具有以下特征,适用于450mhz频带cdma手机的低噪声放大器:

  ①采用hj fet工艺,实现了高线性特性。

  iip3=+8dbm(min.) @ 高增益模式时 / iip3=+15dbm(min.) @ 低增益模式时

  ②低增益模式时实现了15μa(typ.)的低消耗电流。

  ③内置控制用逻辑电路,便于进行模式切换(控制电压"high"=高增益模式)

  2007年4月开始发放njg1128hb6样品,6月开始正式投入生产,投产后预定月产量为30万只。样品价格为50日元。





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