ST64兆位低压闪存迎接3G挑战

发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:703

未来的第三代移动通信将支持高速的多媒体数据传输，包括语音、音乐、图像和视频，使移动用户可以直接访问信息服务，如股价、新闻和比赛结果。

在移动电话和寻呼机、个人数字助理(pda)等便携应用中，闪存用于存储代码和数据。这些应用要求产品必须具备高密度、快速读取、编程时间短和较高的数据安全性等特点。

m58cr064的主要特性

m58cr064是一个特别适合无线电话和便携应用的高性能64兆位低压闪存。m58cr064的参数据块既可以位于存储器地址空间的上部(m58cr064c)，也可以位于存储器地址空间的下部(m58cr064d)。每块可以承受100000次编程/擦除循环，支持同步和异步读操作。用于缩短编程时间的特性是m58cr064的众多特性中最出色的特性：2个或4个相邻16位字编程选项和一个独立的编程电压。m58cr064的典型编程时间是每字10ms，如果在快速编程电源电压引脚上施加12v电压，编程时间就可降至8ms(如果使用4字编程命令，每个字的编程时间可以降至2ms)。此外，虽然m58cr064的工作电源电压是1.8v，但是，它可以在1.65v-3.3v的范围内驱动输入/输出引脚，允许连接3v的主处理器。

加快数据读取速度

在上电时，m58cr064可以按异步页式读操作配置，并允许同时以85ns或100 ns的存取时间对4个16位的字进行存取。通过突发串式，可以从存储阵列的全部块中进行快速的同步读操作。然后，数据以最高54mhz的频率在每个时钟周期上传输。数据的序列是按照突发配置寄存器的要求输出。突发配置寄存器专门用于在同步和异步读模式间转换，以确定将在突发操作中输出的字数(4字、8字还是连续突发)，并按循序或者交叉存取方式配置地址读操作的顺序。

卓越的快速编程时间

为加快编程速度，m58cr064d的设计增加了一些先进的特性：

具备两个快速编程命令(不包括逐字编程)：两个相邻16位字同步编程和4个相邻字同步编程。所有命令使典型综合编程时间达到8ms，如果使用4字编程命令，每字平均编程时间可降低到2ms。

独立的12v快速编程电源电压：结合4字编程命令，可以在8 s内完成一个完整的器件编程(在正常字模式下达到40s)。

允许同步读取和编程/擦除操作

m58cr064由135个512千位块组成，分为两个存储体：体a和体b。一个存储体包含48兆位，另一个包含16兆位。这种双存储体特性允许在一个体上编程或擦除数据，同时在另一个体上读取数据。每次只能对一个存储体进行编程或擦除操作。

安全特性

由于有一个独立块锁定机制，因此，可以实现数据保护。任何块都可以立即锁定或解锁，对数据和代码进行同步保护。此外，在上电后并且编程电压引脚降至某一电平以下时，所有块都会处于保护状态。为提高数据安全性，m58cr064集成一个128位保护寄存器和安全块。寄存器用于存储两个64位唯一器件：其中一个由st编程，另一个则由用户编程。安全块实际上是参数块0，用户可以对其进行永远写保护。

闪存接口--公用闪存接口标准

m58cr064符合公用闪存接口标准和jedec命令集，因此，编程和擦除命令写入这个接口后，可以由管理这些操作定时要求的单片控制器自动执行。控制器含有一个可以报告命令完成和相关错误的状态寄存器。读取另一个存储体上的数据时，擦除和编程操作就会中止。对另一个存储体编程时，擦除操作就会中止。m58cr064采用tfbga56封装，8 7焊球阵列，0.75mm节距。