铁电存储器FM24C16原理及其在多MCU系统中应用
发布时间:2008/5/28 0:00:00 访问次数:435
美国ramtron公司铁电存储器(fram)的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(ram)和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是:当在铁电晶体材料上加入电场,晶体中的中心原子会沿着电场方向运动,达到稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态,一个记为逻辑中的0,另一个记为1。中心原子能在常温、没有电场的情况下,停留在此状态达100年以上。铁电存储器不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。由于整个物理过程中没有任何原子碰撞,铁电存储器有高速读写、超低功耗和无限次写入等特性。 铁电存储器和e2prom比较起来,主要有以下优点:
(1)fram可以以总线速度写入数据,而且在写入后不需要任何延时等待,而e2prom在写入后一般要5~10ms的等待数据写入时间;
(2)fram有近乎无限次写入寿命。一般e2prom的寿命在十万到一百万次写人时,而新一代的铁电存储器已经达到一亿个亿次的写入寿命。
(3) e2prom的慢速和大电流写入使其需要高出fram 2 500倍的能量去写入每个字节。
由于fram有以上优点,其特别适合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合,而不会出现数据丢失,其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中,其近乎无限次写入的使用寿命,使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体,用来在于系统之间传输各种数据,供各个子系统频繁读写。从fram问世以来,凭借其各种优点,已经被广泛应用于仪器仪表、航空航天、工业控制系统、网络设备、自动取款机等。
在设计的碳控仪系统中,由于对控制碳势适时性的要求较高,而且系统由2个子系统构成,每个子系统都要频繁读写存储器,所以我们把原来的x25045换成fm24c16以满足要求。
2 fm24c16引脚说明及工作过程
fm24c16-p(8脚双列直插)外形图及引脚定义如图1及表1所示。
fm24c16是串行非易失存储器,存储容量为2 048×8b,共分8页,每页256b;工作电压为+5v;接口方式为工业标准的2线接口:sda和scl;功能操作和串行e~prom相似,有读和写两种操作状态,读、写时序和i2c总线类似。
fm24c16的写操作可以分为2种:字节写和页面写。字节写就是每次写入单个字节,页面写可以一次写入整页(256b)的数据。而且,由于没有写延时,数据写入速度很快(一般为μs级),特别是在页面写的时候,不需要数据缓冲,可以一次写入256b的数据,真正实现页面写,这是其他e2prom做不到的,比如at24c16,在页面写的时候,每次最多能写入16b数据。
fm24c16的写操作时序中可分为起始位(start)、数据位、从应答位、停止位(stop),其中,从应答位(因为fm24c16为从器件,mcu为主器件,所以称为从应答)是fm24c16在每接收一个字节数据后发出的应答信号,是检验数据写入是否成功的惟一标志。写入过程为:mcu通过sda,sci。发出起始位,然后从sda输出从器件固定地址位:1010,再输出3b页选择位(选择写入数据到fm24c16的哪一页),再输出写控制位0(读为1,写为0),然后接收来自fm24c16的从应答位,如果没有收到从应答,则退出操作。在接收到从应答后,mcu从sda串行输出8位fm24c16字节地址以确定写入数据的字节单元,并在收到从应答后发送1b数据写入到fm24c16,然后等待从应答信号确认数据写入成功。如果是字节写,则由mcu发出停止位,结束写操作。如只是页面写,mcu输出第2个字节数据,fm24c16判断出mcu要继续写入数据后,自动使其内部的地址指针加1,并把数据写入到加1后的字节单元,然后给出从应答,mcu就继续写入数据到fm24c16。页面写操作时,当地址指针到7fh(页尾地址)单元的时候,在下一个写入周期时自动翻转到00h,写入的数据覆盖掉00h单元原来的数据。
具体写操作时序图和后面的读操作时序图比较繁琐,在这里不给出,如果需要,可以登录到ramtron公司网站;http://www.ramtron.com查阅技术资料,或者登录到其在大陆的代理商网站:http://www.ramtron.com.cn/china/product/data.asp去查
阅技术资料,也可以仿i2c总线时序图。
fm24c16读操作比写操作较为复杂,相应也可以分为2种:字节读和页面读,相应于字节写和页面写,两种读的功能也是单字节和整页的区别。读操作的另一种分法可分为:立即读和任意读(包括连续读),其区别在于立即读是在写人数据后马上读数,而任意读和连续读则是随时读,所以,在他们操作时,必须先执行伪写,然后再读数。所谓伪写,是指执行写操作到写入数据之前,其目的是确定要读出的字节单元地址。下面对任意读的操作过程给予说明:执行写操作到写人数据前,也就是在收到输入字节单元地址后的从应答后,mcu
美国ramtron公司铁电存储器(fram)的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(ram)和非易失性存储器的特性。铁电晶体的工作原理是:当在铁电晶体材料上加入电场,晶体中的中心原子会沿着电场方向运动,达到稳定状态。晶体中的每个自由浮动的中心原子只有2个稳定状态,一个记为逻辑中的0,另一个记为1。中心原子能在常温、没有电场的情况下,停留在此状态达100年以上。铁电存储器不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。由于整个物理过程中没有任何原子碰撞,铁电存储器有高速读写、超低功耗和无限次写入等特性。 铁电存储器和e2prom比较起来,主要有以下优点:
(1)fram可以以总线速度写入数据,而且在写入后不需要任何延时等待,而e2prom在写入后一般要5~10ms的等待数据写入时间;
(2)fram有近乎无限次写入寿命。一般e2prom的寿命在十万到一百万次写人时,而新一代的铁电存储器已经达到一亿个亿次的写入寿命。
(3) e2prom的慢速和大电流写入使其需要高出fram 2 500倍的能量去写入每个字节。
由于fram有以上优点,其特别适合于那些对数据采集、写入时间要求很高的场合,而不会出现数据丢失,其可靠的存储能力也让我们可以放心的把一些重要资料存储于其中,其近乎无限次写入的使用寿命,使得他很适合担当重要系统里的暂存记忆体,用来在于系统之间传输各种数据,供各个子系统频繁读写。从fram问世以来,凭借其各种优点,已经被广泛应用于仪器仪表、航空航天、工业控制系统、网络设备、自动取款机等。
在设计的碳控仪系统中,由于对控制碳势适时性的要求较高,而且系统由2个子系统构成,每个子系统都要频繁读写存储器,所以我们把原来的x25045换成fm24c16以满足要求。
2 fm24c16引脚说明及工作过程
fm24c16-p(8脚双列直插)外形图及引脚定义如图1及表1所示。
fm24c16是串行非易失存储器,存储容量为2 048×8b,共分8页,每页256b;工作电压为+5v;接口方式为工业标准的2线接口:sda和scl;功能操作和串行e~prom相似,有读和写两种操作状态,读、写时序和i2c总线类似。
fm24c16的写操作可以分为2种:字节写和页面写。字节写就是每次写入单个字节,页面写可以一次写入整页(256b)的数据。而且,由于没有写延时,数据写入速度很快(一般为μs级),特别是在页面写的时候,不需要数据缓冲,可以一次写入256b的数据,真正实现页面写,这是其他e2prom做不到的,比如at24c16,在页面写的时候,每次最多能写入16b数据。
fm24c16的写操作时序中可分为起始位(start)、数据位、从应答位、停止位(stop),其中,从应答位(因为fm24c16为从器件,mcu为主器件,所以称为从应答)是fm24c16在每接收一个字节数据后发出的应答信号,是检验数据写入是否成功的惟一标志。写入过程为:mcu通过sda,sci。发出起始位,然后从sda输出从器件固定地址位:1010,再输出3b页选择位(选择写入数据到fm24c16的哪一页),再输出写控制位0(读为1,写为0),然后接收来自fm24c16的从应答位,如果没有收到从应答,则退出操作。在接收到从应答后,mcu从sda串行输出8位fm24c16字节地址以确定写入数据的字节单元,并在收到从应答后发送1b数据写入到fm24c16,然后等待从应答信号确认数据写入成功。如果是字节写,则由mcu发出停止位,结束写操作。如只是页面写,mcu输出第2个字节数据,fm24c16判断出mcu要继续写入数据后,自动使其内部的地址指针加1,并把数据写入到加1后的字节单元,然后给出从应答,mcu就继续写入数据到fm24c16。页面写操作时,当地址指针到7fh(页尾地址)单元的时候,在下一个写入周期时自动翻转到00h,写入的数据覆盖掉00h单元原来的数据。
具体写操作时序图和后面的读操作时序图比较繁琐,在这里不给出,如果需要,可以登录到ramtron公司网站;http://www.ramtron.com查阅技术资料,或者登录到其在大陆的代理商网站:http://www.ramtron.com.cn/china/product/data.asp去查
阅技术资料,也可以仿i2c总线时序图。
fm24c16读操作比写操作较为复杂,相应也可以分为2种:字节读和页面读,相应于字节写和页面写,两种读的功能也是单字节和整页的区别。读操作的另一种分法可分为:立即读和任意读(包括连续读),其区别在于立即读是在写人数据后马上读数,而任意读和连续读则是随时读,所以,在他们操作时,必须先执行伪写,然后再读数。所谓伪写,是指执行写操作到写入数据之前,其目的是确定要读出的字节单元地址。下面对任意读的操作过程给予说明:执行写操作到写人数据前,也就是在收到输入字节单元地址后的从应答后,mcu