奇梦达的低功耗dram产品系列用超低待机和操作功耗来延长电池使用时间，另一优势是它的超小封装尺寸，能够满足对空间受限的应用需求。这些特性使其成为快速增长的超低功耗dram市场的理想选择。

据市场分析家isuppli“2007年第二季度dram市场跟踪”预测，对低功耗dram的需求量将从2007年2.38亿512mbit约当量增加至2010年的12亿512mbit约当量(年均复合增长率为71%)。

奇梦达采用75纳米低功耗沟槽工艺平台，该平台是公司所有75纳米低功耗dram产品系列的基础。新型mobile ram采用非常有弹性的设计概念，将ddr与sdr接合以及x16和x32两种界面放入同一个芯片设计，在后端封装测试前采用bond option技术决定产品最终的接合(ddr或sdr)和界面(x16或x32 )。新型mobile dram也具备单/双面焊垫(pad out)接合版本，能配合任何组件级封装、多重芯片封装(mcp)、或系统级封装(sip)。

奇梦达的512mbit低功耗ram针对mcp与sip解决方案提供最高的品质，同时实现最低功耗，从而延长手持设备的电池使用时间。

“我们非常高兴推出这款多功能75纳米低功耗dram的新产品，它是我们准备在今后6个月内推出的一个完整产品系列的主导产品。除了产品本身具备的核心优势外，我们还将以创新封装和测试服务进一步完善该产品系列，以满足客户打造速度更快的移动产品的需求，”奇梦达消费和移动事业部副总裁ayad abul-ella说道。