单片机外中断输入端的p3口是具有第二变异功能的准双向口，其每一位的内部结构如图1所示。当变异功能输出为高电平时，位口是普通i／o口。此时如对i／o口进行写操作，数据由内部总线写入锁存器，经与非门和mos管两次反相后送出引脚；如对i／o口进行读操作，则必须先将锁存器置为1，使mos管截止，引脚被片内负载mos管（图中标为上拉电阻）上拉为高电平，然后可进行输入操作，当输入为低电平时它能被拉成低电平，引脚信息经两个缓冲器进入内总线；如果使用第二功能（变异功能），输入锁存器同样也必须先被置为1，这时引脚受变异功能输出控制，若需使用变异功能输入，则锁存器和变异输出必须同时置为1，使mos管截止，变异功能输入随引脚的变化而变化。估计在第二功能时只能用于输入中断的p3．2和p3．3口，内部可能没有变异功能输出线，即使有，也只能上拉为固定的高电平。可见，单片机p3口不管是通用i／o口还是变异功能输入，其锁存器都必须先置为1。单片机复位后所有i／o口的状态都是1，一般在系统的初始化程序中定义过中断优先级，并在开中断之后单片机即可响应中断，此后若关掉相应中断允许位（置为0），则需从引脚进入单片机的中断有效信号（低电平或下降沿）虽然仍可进入并使ie0（或ie1）置为1，但不能引起中断，当然程序可查寻ie了解中断源是否产生了中断申请。

　　笔者注意到单片机i／o口有两类指令隐含着对i／o口锁存器的写入。

　　第一类是读i／o引脚指令，在执行了读i／o引脚指令后，i／o口锁存器状态将变得和引脚相同，如果在中断引脚为低电平期间正巧执行了这种指令，锁存器将变为0态，中断从此将不能进入。

　　第二类是读－修改－写锁存器指令，例如setb　px．y和jbc　px．y，label等，这些指令被执行时总是先读入i／o口全部8位数据，作一定修改或判断后再回写到锁存器中。

　　在笔者的程序中没有使用第一类指令，第二类指令倒是有，不过，不是对p3．2（或p3．3）进行操作，而是对p3．4和p3．5进行操作（因为系统中使用了p3．4和p3．5作为普通i／o位口）。但是，我们认为有可能在执行这一类指令修改p3．4和p3．5锁存器位时，由于受到较强的干扰而误将p3．2（或p3．3）写成了0，从而出现上述情况。为了验证这一点，我们去掉了程序中对p3．4和p3．5进行操作的指令，发现中断不能进入的现象基本消失，但在极个别情况下，中断仍不能进入，这种极个别的现象纯粹是随机干扰所致。

　　为彻底解决中断不能进入的问题，采用了如下两种措施：
　　（1）放弃p3口剩余的位口，不将其作为普通i／o位口用，而用单片机外部扩充的接口取而代之；
　　（2）在中断服务程序即将退出之前，往p3．2（或p3．3）口写1，以使p3．2（或p3．3）位的锁存器状态在下一次中断到来之前为1，从而保证不漏掉任何一次中断申请。