12 e2prom的使用方法

　　在pic16f84单片机中，除了可直接寻址的由sram构成的数据存储器外，还另有可电擦、电写的e2prom数据存储器。该e2prom共有64字节，其地址为00～3fh单元。由于e2prom具有在线改写，并在掉电后仍能保持数据的特点，可为用户的特殊应用提供方便。16f84的e2prom在正常操作时的整个vdd工作电压范围内是可读写的，典型情况下可重写100万次，数据保存期大于40年。

　　 pic16f84单片机的e2prom并未映象在寄存器组空间中，所以它们不能像sram通用寄存器那样用指令直接寻址访问，而需要通过专用寄存器进行间接寻址操作。因此，在16f84单片机中增加了以下四个专用寄存器，即eecon1、eecon2、eedata、eeadr，专门用于片内对e2prom的操作。该专用寄存器中，eedata存放8位读/写数据，eeadr存放正在被访问的e2prom存储单元的地址。

　　 eecon1是只有低五位的控制寄存器，其高三位不存在，读作“0”。具体见下表。

　　 d7　d6　d5　d4　 d3　 d2　d1 d0
　　 －　 －　 － eeif wrerr wren wr rd

　　控制位rd和wr分别用于读写操作的启动，这两位可以由软件置1，以启动读、写操作，但不能用软件清零，原因是防止不恰当的软件操作会使写入失败。当读写操作完成后由硬件自动清零，表示此刻未对e2prom进行读写操作。当wren位被置1时，允许进行写操作，而在上电时该位被清零。在正常操作时，一旦有mclr或wdt复位，wrerr位就置1，表示写操作被中止。当写操作完成时，eeif被置1(需由软件清零)；当写操作未完成或尚未启动时，eeif为“0”。
　　 eecon2仅是一个逻辑上的寄存器，而不是一个物理上存在的寄存器，读出时将总是为零。它只在写操作时起作用。

　　 (1)e2prom的读操作

　　为进行一次e2prom读操作，需执行如下步骤：
　　 1)将e2prom的单元地址放入eeadr。2)置rd(eecon的d0位)=1。3)读取eedata寄存器。
　　程序段举例，读取25h处的e2prom存储器数据：
　　 …
　　 bcf 　 status，rp0 ；选bank0
　　 movlw 25h
　　 movwf eeadr 　 ；地址25h→eeadr
　　 bsf 　 status，rp0 ；选bank1
　　 bsf eecon1，rd ；启动读操作
　　 bcf status，rp0 ；选bank0
　　 movf eedata，w ；将e2prom数据
　　　　　　　　 …　　 ；读入w寄存器

　　 (2)e2prom的写操作

　　要进行一次e2prom写操作，需执行如下步骤：
　　 1)将e2prom单元地址放入eeadr；2)将写入数据放入eedata；3)执行一段控制程序段。
　　例如：将数据99h写入e2prom的25h单元，需执行下列程序：
　　　　　　　 …
　　 bcf 　 status，rp0 ；送bank0
　　 movlw 25h
　　 movwf eeadr　　　 ；地址→eeadr
　　 movlw 99h
　　 movwf eedata　　 ；写入数据→eedata
　　 bsf 　 status，rp0　；选bank1
　　 bsf 　 eecon1，wren；写操作功能允许
　　 1 bcf 　 intcon，gie　；关闭总中断
　　 2 movlw 0x55
　　 3 movwf eecon2
　　 4 movlw 0xaa
　　 5 movwf eecon2 ；操作eecon2
　　 6 bsf　 eecon1，wr；启动写操作
　　 7 bsf 　 intcon，gie ；开放总中断
　　　　 …

　　注意：上列程序中的2～6条各语句必须严格执行，否则不能启动e2prom的写操作。而1～7条则是我们建议用户执行的操作，即在e2prom写操作序列步骤中要关闭所有中断，以免这个序列被中断打断。

　　另外，wren(eecon1的d2位)是用来保证e2prom不会被意外写入而设置的，所以，在平时，用户程序应保持wren=0以禁止写操作。只有当需对e2prom写入时才置wren=1，并在写入完成后将其恢复为0。用户只有置wren=1后才能置wren=1启动写操作。上电复位后wren位自动清零。

　　 e2prom写操作约需10ms的时间才能完成。用户程序可通过查询wr位的状态(当wr=0时表示操作已完成)，或者用e2prom写入完成中断来判断e2prom写操作是否完成。如要使用中断，应先置eeif(intcon的d6)为1，以开中断。e2prom写完成要中断标志位eeif，只能用软件清零。