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RAMTRON推出2KB铁电存储器微控制器VRS51L307...

发布时间:2008/5/27 0:00:00 访问次数:288

  非易失性铁电随机存取存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出带2kb非易失性f-ram以8051为基础的微控制器(mcu)-vrs51l3072。ramtron将f-ram添加到其快速灵活的versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。

ramtron战略市场拓展经理david lee称:“我们针对需要较低密度f-ram进行实时数据采集和存储的客户,扩展了versa 8051产品系列即推出带2kb f-ram的mcu。vrs51l3072的高性能内核可控制外设及采集数据,而其板载数字信号处理 (dsp) 功能则会处理数据,然后存储在f-ram内。这款产品与我们的8kb f-ram mcu引脚兼容,对于那些需要少于8kb f-ram的应用来说,是一种别具成本效益的替代方案。”

f-ram替代flash/eeprom存储非易性数据存储

f-ram能够消除flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及flash/eeprom延长的写入周期,从而简化设计流程。与flash不同,f-ram字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动,使用更为便捷。而且与flash/eeprom不同的是f-ram能够无限次的读/写和快速写入数据。

vrs51l3072将2kb f-ram与完全集成的高性能系统级芯片(system-on-chip)相结合,其特性包括40mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb flash、4kb sram、数字信号处理(dsp)扩展功能及稳健的数字外围设备。vrs51l3072在整个工业温度范围内以3.3v电压工作,是多种先进应用的理想嵌入式数据采集解决方案。

vrs51l3072特点

  • 2kb f-ram:2048byte的真正非易失性ram(无需电池/超级电容便可保存数据)映射到vrs51l3072的xram存储器上,具有简单访问、快速读写和几乎无限读写寿命的特点
  • 40mhz、单周期8051处理器:这是市场上最快速的8位处理器之一,其先进的内核可提供高达40mips的吞吐量,并且与标准8051s指令兼容,以实现器件的顺畅转移
  • 带32位桶式移位器(barrel shifter)的mult/accu/div单元:此硬件计算引擎在执行dsp操作时(fir过滤、传感器输出线性化、多字节算术运等),其性能显著优于8位处理器。并能在一个周期中执行16位有符号的乘法和32位加法,及在5个周期中执行16位有符号的除法。桶式移位器实现了逻辑/算法转换操作
  • 40mhz内部晶振:内部振荡器无需外部晶体振荡器,有助于降低系统成本
  • usb-jtag接口:用于快速的用户友好器件编程和实时的在线调试/仿真,无需昂贵的仿真器
  • 带波特率(baud rate)发生器的双uart:这个通用异步接收器/发射器的最大工作速度为1.25mbps。每个uart均带有独立的具有20位分辨率的波特率发生器
  • 增强的spi:串行外设接口的通信速度可以配置达20mbps,发送数据长度可在1到32位间调节
  • pwc:两个脉宽计数器模块,提供先进的定时器控制功能,可简化事件间隔时间测试
  • pwm:包含8个脉宽调制器,具有高达16位的可调节分辨率。每个pwm都有自己独立的定时器,并可以作为通用定时器使用


  非易失性铁电随机存取存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布推出带2kb非易失性f-ram以8051为基础的微控制器(mcu)-vrs51l3072。ramtron将f-ram添加到其快速灵活的versa 8501产品中,以进行快速可靠的非易失性数据存储与处理系统,而这是存储系统状态、数据记录及在多种应用的非易失性变量的理想选择,包括从传感器与计量仪表到工业控制、仪表与医疗设备等应用。

ramtron战略市场拓展经理david lee称:“我们针对需要较低密度f-ram进行实时数据采集和存储的客户,扩展了versa 8051产品系列即推出带2kb f-ram的mcu。vrs51l3072的高性能内核可控制外设及采集数据,而其板载数字信号处理 (dsp) 功能则会处理数据,然后存储在f-ram内。这款产品与我们的8kb f-ram mcu引脚兼容,对于那些需要少于8kb f-ram的应用来说,是一种别具成本效益的替代方案。”

f-ram替代flash/eeprom存储非易性数据存储

f-ram能够消除flash数据存储器相关的先头编码、有限的耐用性及flash/eeprom延长的写入周期,从而简化设计流程。与flash不同,f-ram字节无需首次擦除整个扇区即可进行改动,使用更为便捷。而且与flash/eeprom不同的是f-ram能够无限次的读/写和快速写入数据。

vrs51l3072将2kb f-ram与完全集成的高性能系统级芯片(system-on-chip)相结合,其特性包括40mips单周期8051内核、同时具有isp和iap编程功能的64kb flash、4kb sram、数字信号处理(dsp)扩展功能及稳健的数字外围设备。vrs51l3072在整个工业温度范围内以3.3v电压工作,是多种先进应用的理想嵌入式数据采集解决方案。

vrs51l3072特点

  • 2kb f-ram:2048byte的真正非易失性ram(无需电池/超级电容便可保存数据)映射到vrs51l3072的xram存储器上,具有简单访问、快速读写和几乎无限读写寿命的特点
  • 40mhz、单周期8051处理器:这是市场上最快速的8位处理器之一,其先进的内核可提供高达40mips的吞吐量,并且与标准8051s指令兼容,以实现器件的顺畅转移
  • 带32位桶式移位器(barrel shifter)的mult/accu/div单元:此硬件计算引擎在执行dsp操作时(fir过滤、传感器输出线性化、多字节算术运等),其性能显著优于8位处理器。并能在一个周期中执行16位有符号的乘法和32位加法,及在5个周期中执行16位有符号的除法。桶式移位器实现了逻辑/算法转换操作
  • 40mhz内部晶振:内部振荡器无需外部晶体振荡器,有助于降低系统成本
  • usb-jtag接口:用于快速的用户友好器件编程和实时的在线调试/仿真,无需昂贵的仿真器
  • 带波特率(baud rate)发生器的双uart:这个通用异步接收器/发射器的最大工作速度为1.25mbps。每个uart均带有独立的具有20位分辨率的波特率发生器
  • 增强的spi:串行外设接口的通信速度可以配置达20mbps,发送数据长度可在1到32位间调节
  • pwc:两个脉宽计数器模块,提供先进的定时器控制功能,可简化事件间隔时间测试
  • pwm:包含8个脉宽调制器,具有高达16位的可调节分辨率。每个pwm都有自己独立的定时器,并可以作为通用定时器使用


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